EG1253是一款高性价比电流模式PWM控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。 EG1253内置抖频功能，具有优良的EMI特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。 EG1253内置有完备的保护功能：VCC欠压保护（UVLO）、VCC过压保护（VOP）、逐周期电流限制、过载保护、过热保护、软启动等。 特性： • 优良的EMI特性 • 外围器件少 • 外置NTC温度保护功能 • 光耦开路保护 • 最大占空比50% • 电流模式控制 • 外置电阻可设PWM

■产品描述： EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A，采用 SOP14 封装。 ■一般特性： 高端悬浮自举

■产品描述： EG2181 是一款大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2181 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 3.5V～20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出

产品描述： EG2130 是一款高性价比的带SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC 中的驱动电路。EG2130 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V～20V，静态功耗小于 1uA。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD̅̅̅̅内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS管处于关闭状态，输出

■产品描述： EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。EG2124A 高端的工作电压可达 260V，低端 VCC 的电源电压范围宽 7V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A，采用 TSSOP20 和 Q

■产品描述： EG2113S 是一款大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113S 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V～20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输

■产品描述： EG2107 是一款高性价比带 CS 逐周保护功能半桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时间控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。EG2107 高端的工作电压可达 500V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V～20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 IN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A，采用 SOP8

EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专 用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2122 高端的工作电压可达200V, 低 端 Vcc的电源电压范围宽8V～20V, 静态功耗低。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和LIN 内建了200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、 下功率 MOS 管处于关闭状态，输

■产品描述： EG2132 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2132 高端的工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V～20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处

■产品描述： EG2131 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2131 高端的工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V～20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了上拉 5V高电位,在输

描述： EG2181是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽3.5V～20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能

描述： EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计（可选择反相IN- 或正相IN+驱动器配置）当 VDD = 12V 时，EG27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用SOT23-5封装。 特性： • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离

描述： EG3033 是一款高性价比三相 PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了死区时控制电路、欠 压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 7V～25V，静态功耗小于 1mA。该芯片输入电压超过 12V 时，为了更好的 匹配 P/N MOS 管，LO 输出最高电压为 11V，HO 输出最低电压为 VCC 减去 11V。 LO 输出电流能力 IO+/- 0.045/0.28A，HO 输出电流能力 IO+/- 0.26/0.04A。 特性： • 三相 P/N MOS 管栅极驱动 • 电源电压输入

描述： EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计（可选择反相IN- 或正相IN+驱动器配置）当 VDD = 12V 时，EG27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用SOT23-5封装。 特性： • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离

描述： EG1164是一款高压大电流升压型同步整流DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、逐周限流控制、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输出。 特性： • 升压同步整流方案，支持高压大电流方案 • 外接一个电容可设置工作频率（0-300KHz） • 2脚EN外部电阻可灵活调整启动、关闭电压 • UVLO欠压锁定功能： • Vcc引脚端的开启电压3.65V • Vcc引脚端的关闭电压3.6V • 逐周限

描述： EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。 特性： • 同步续流方案，支持高压大电流方案。 • 外接一个电容可设置工作频率（0-300KHz） • UVLO欠压锁定功能: • Vcc引脚端的开启电压16.5V-EG1163 • Vcc引脚端的关闭电压8V-EG1163 • Vcc引脚端的开启电压8.5V-EG1163S • Vcc引脚端的关闭

描述： EG8546 是一款低工作电流、单电源供电、6MHz 带宽及高速轨到轨输入与输出的双路运放。轨到轨输入与输出便于设计人员在单电源系统中实现 ASIC 缓冲。EG8546 经过优化设计,可以在较低电源电压时保持高增益,因而能够用于有源滤波器和增益级。 EG8546 具有极低的输入偏置电流,可用于积分器、光电二极管放大器、压电传感器以及其它具有较高源阻抗的应用。每路放大器的电源电流仅为 430uA,非常适合电池供电应用。 EG8546 的额定温度范围为-40℃至+125

描述： EG324 内部包括有四个独立的、内置频率补偿的高增益电压运算放大器。在很宽的电源电压范围内适用于单电源或双电源工作模式。电源漏电流独立于电源电压的大小。 EG324 的封装形式包括 DIP-14、SOP-14。 特性： ·宽电源电压范围：单路电源：3V~18V 双路电源：±1.5V~±9V ·输入共模电压包括地 ·大电压增益：100dB(典型) ·低输入偏置电流：20nA(典型) ·低输入失调电压：2mV (典型) ·低工作电流：0.25mA（典型） 应用领域： ·电池充电器 ·无绳电话 ·开关

描述： EG358 是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作，也可以是双电源工作，电源的功耗 电流与电源电压大小无关。应用范围包括音频放大器、工业控制、DC 增益部件和所有常规运算放大电路。 采用 DIP8 或 SOP8 封装形式。 特性： ·可单电源或双电源工作 ·包含两个运算放大器 ·逻辑电路匹配 ·内部频率补偿 ·短路保护输出 ·功耗小 ·频率范围宽 应用领域： ·便携式 DVD ·稳压电源 ·电池充电器

描述： EG0001是一款具有较高性能的传感器信号处理集成电路。它配以热释电红外传感器和少量外接元器件构成被动式的热释电红外开关。它能自动快速开启各类白炽灯、荧光灯、蜂鸣器、自动门、电风扇、烘干机和自动选手池等装置，特别适用于企业、宾馆、商场、库房及家庭的过道、走廊等敏感区域，或用于安全区域的自动灯光、照明和报警系统。 特性： ·CMOS数模混合专用集成电路 ·具有独立的高输入阻抗运算放大器，可与多种传感器匹配，进行

描述： EG3844是一款高性价比电流模式PWM控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。 EG3844 内置抖频功能，具有优良的EMI特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。 EG3844内置有完备的保护功能： VCC欠压保护（UVLO）、VCC过压保护（VOP）、 逐周期电流限制 、过载保护、过热保护、软启动等。 特性： • 优良的EMI特性 • 外围器件少 • 光耦开路保护 • 最大占空比50% • 电流模式控制 • 外置电阻可设PWM频率 • 绿色

描述： EG3846 采用定频电流模式控制，改善了系统的线电压调节率和负载响应特征，简化了控制环路的设计。EG3846 内置精度达1%带隙可调基准电压、高频振荡器、误差放大器、差动电流检测放大器、欠电压锁定电路以及软启动电路，具有推挽变换自动对称校正、并联运行、外部关断、双脉冲抑制以及死区时间调节等功能。 特性： ·自动前馈补偿。 ·可编程控制的逐个脉冲限流功能。 ·推挽输出结构下自动对称校正。 ·负载响应特性好。 ·可并连运行，

描述： EG1166是一款集成600V半桥驱动的双管正激电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动、主动同步整流等功能，非常适合高压大电流场合应用。 特性： • 双管正激专用电源芯片。 • 外接一个电容可设置工作频率（0-300KHz） • 内置5V基准电压 • UVLO欠压锁定功能： • Vcc引脚端的开启电压16.5V • Vcc引脚端的关闭电压8V • 逐周限流控制 • 主动同步整流控制 • 内置软启动电路 • 集成600V半桥驱动，可

描述： EG3525S芯片内置了5.1V基准电压源、100Hz～ 500KHz宽频率振荡器、软启动电路、误差放大器、PWM比较器、欠压封锁电路及功率管输出驱动电路等。EG3525S具有同步时钟功能，可以工作在主从模式，也可以与外部系统时钟信号同步，为设计提供了极大的灵活性。在CT引脚和Discharge引脚之间加入一个电阻就可以实现对死区时间的调节功能。 EG3525S内部集成了软启动电路，只需在引脚8外接一个定时电容能实现PWM软启动功能。在上电过程中，软启动定时电容的

描述： EG4427是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG4427的电源电压范围宽3V～20V，静态功耗小于1uA。该芯片输入通道INA以及INB各内建了一个100K下拉电阻；SD内建了一个100K下拉电阻,在SD输入悬空时，不影响OUTA与OUTB的输出；输出电流能力IO+/-1.5/1.5A；采用SOP8封装。 特性： • 适应5V、3.3V输入电压 • VCC电压范围3V-20V • 输出电

描述： EG3003 是一款高性价比的双通道大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG3003 的电源电压范围11V～20V，静态功耗小于100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道INA 内建了一个200K 下拉电阻，I N B 内建了上拉5V 高电位,在输入悬空时使功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 1/1.5A，采

描述： EG3003 是一款高性价比的双通道大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG3003 的电源电压范围11V～20V，静态功耗小于100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道INA 内建了一个200K 下拉电阻，I N B 内建了上拉5V 高电位,在输入悬空时使功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 1/1.5A，采

描述：EG2181是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽3.5V～20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力

描述： EG2302是一款高性价比的带S(____)D(____)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V～25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，S(____)D(____)内建了一个500K上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 0.3/0.6A，采用S

描述： EG2106 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。 EG2106 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

描述： EG2103是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/-0.3/0.6A，采用SOP8封装。 特性： • 高端悬浮

特性： ■ 适应5V、3.3V 输入电压 ■ VCC 电压范围2.8V-20V ■ 输 出 电 流 能 力IO+/-2A/2.5A ■输入输出延时短 ■SD 输入通道高电平有效，关闭HO、LO 输出。 ■ 封装形式： SOP-8 描述： EG27325 是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电 平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27325 的电源电压范围宽2.8V～20V, 静态功耗小于1uA。该芯片输入通道 INA以及INB各内建了一 个200K下拉

屹晶微电子 充电器管理芯片：EG4313 EG4318 EG4320 EG4321红外\雷达 感应芯片：EG4002 EG4003 BISO001音频功放：EG8403 EG8371轨到轨运放：EG8542 EG8543 EG8546

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