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■产品描述： EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2183D 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V～20V，静态功耗小于 300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了上拉 5V 高电位,在输入悬空时使上

■产品描述： EG2304 是一款的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG2304 高端的工作电压可达 550V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V～25V。该芯片输入通道 HIN内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。 ■产

■产品描述： EG1198 一款宽电压范围降压型 DC-DC 电源管理芯片，内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能，非常适合宽电压输入降压使用。EG1198 带使能控制，可以大大节省外围器件，更加适合电池场合使用，具有很高的方案性价比。 ■产品特点： 高性价比 宽电压输入范围 10V 至 120V 最大输出电流 1.5A 集成功率 MOS 管 外围器件少 输出短路保护 温度保护 逐周期限流 输出电压灵活可调 封装形

■产品描述： EG2003 是MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG2003 高端的工作电压可达 200V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了一个 200K 上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。 ■产品特点

描述： EG2104是一款带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104 高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V～20V，静态功耗小于1uA。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 1/1.5A，采用SOP8封装。

描述： EG2103是一款MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/-0.3/0.6A，采用SOP8封装。 特性： • 高端悬浮自举电源设

描述： EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器，形成一款多功能，更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能，可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时，输出低电平，超过开启阈值，驱动器就能稳定的频率振荡。 特性： • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V • CT,RT可编程振荡器 • VCC电源12V齐纳钳位 • 微小启动电流 • CT脚带使能关闭功能 • VCC和VB端电源带欠

描述： EG21814是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21814高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～20V，静态电流约200uA。输入通道HIN 和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 2.5/3A，采用SOP14封装。 特性： • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V

描述： EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。 特性： ·高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V ·适应 5V 或者 3.3V 输入电压 ·输出电流能力+0.2A/-0.35A ·欠压保护 ·使

描述： EG8405是一款带防失真功能且具有超低EMI的立体声免输出滤波器D类音频功率放大器。在电源电压5V、THD+N=10%、4Ω 负载的条件下，输出高达3.2W的功率，在性能与AB类放大器相媲美的同时，效率高达88%。 EG8405的最大特点是带防失真功能，可以检测并抑制由于输入音乐，语音信号幅度过大所引起的输出信号失真（破音），也能自适应地防止在电池应用中由于电源电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的音乐享受，并保护扬声器免受

描述： EG8305是3W单声道无滤波器D类音频放大器。高PSRR（电源电压抑制比），差分输入抑制噪声和射频干扰。90%的效率，极小的PCB面积使得EG8305成为手持设备应用的典范，无噗噗声的1ms的快速启动时间也使得EG8305成为掌上电脑应用的理想选择。无滤波器架构的设计取消了输出滤波器，减小了外围元器件数量，节省了PCB面积和系统成本，简化应用设计。 特性： ·优异的全带宽EMI 抑制能力 ·优异的"上电，掉电"噪声抑制 ·3W 输出功率（5V 电源、4Ω

描述： EG8403立体声D类音频功率放大器能够以D类放大器的效率提供AB类功率放大器的性能。采用低噪声，无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输出低通滤波器。需要极少的外围元件，从而节省PCB的空间和系统成本，是便携式应用的理想选择。EG8403能够以高于85%的效率提供3W功率，同时具有系统关断及静音控制功能。特殊的线路架构增强了抗噪声能力，减少了射频干扰。 特性： ·无滤波器的D 类放大器，低静态电流和低EMI ·在4Ω 负载和5V 电源条件下，

描述： EG27324 是一款高性价比、带SD 功能的双路独立驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、电 平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27324 的电源电压范围宽2.8V～20V, 静态功耗小于 luA 。该芯片输入通道 INA以 及INB各内建了一个200K 下拉电阻；SD内建了一个200K下拉电阻，在 SD输入悬空时，不影响OUTA与 OUTB的输出；输出电 流能力IO+/-2/2.5A; 采用 SOP8封装。 特性： ■ 适 应 5V、3.3V 输入电压 ■ VCC 电压范围2

特性： ■ 适应5V、3.3V 输入电压 ■ VCC 电压范围2.8V-20V ■ 输 出 电 流 能 力IO+/-2A/2.5A ■输入输出延时短 ■SD 输入通道高电平有效，关闭HO、LO 输出。 ■ 封装形式： SOP-8 描述： EG27325 是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电 平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27325 的电源电压范围宽2.8V～20V, 静态功耗小于1uA。该芯片输入通道 INA以及INB各内建了一 个200K下拉

描述： EG1252L是一款高性价比电流模式PWM控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。 EG1252L 内置抖频功能，具有优良的EMI特性。芯片采用打嗝模式控制轻负载和零负载。 EG1252L内置有完备的保护功能： VCC欠压保护（UVLO）、VCC过压保护（VOP）、 逐周期电流限制 、输入欠压保护、过载保护、过热保护、软启动等。 特性： • 优良的EMI特性 • 外围器件少 • 外置NTC温度保护功能 • 输入欠压保护 • 光耦开路保护 • 最大占空比50% • 电

描述： EG1252是一款高性价比电流模式PWM控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。 EG1252内置抖频功能，具有优良的EMI特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。 EG1252内置有完备的保护功能：VCC欠压保护（UVLO）、VCC过压保护（VOP）、逐周期电流限制、输入欠压保护、过载保护、过热保护、软启动等。 特性： • 优良的EMI特性 • 外围器件少 • 外置NTC温度保护功能 • 光耦开路保护 • 最大占空比50% • 电流模式

描述： EG3001是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。 EG3001 电源电压范围宽3V～30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。SOP8 封装。 特性： ·源出峰值驱动电流达1A和

描述： EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。 EG3002 电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 特性： ·源出峰值

描述： EG2131 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131 高端的工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V～20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、

描述： EG12521是一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源、无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG12521高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽4V～20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 0.8/1.2A，采用SOP8封装。

描述： EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 0.3/0.6A，采用SOP8封装。 特性: • 高端悬

描述： EG2104S 是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V～20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K 拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力IO+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。 特

描述： EG3013S 是一款高性价比的大功率 MOS 管 、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理 电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制 器中的驱动电路。 EG3013S 高端的工作电压可达80V,Vcc 的电源电压范围宽4 . 5V～30V, 静态功耗低仅4 . 5mA。 该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 LIN 内建了上拉5V高电位和HIN 内建了 一 个15K下 拉 电 阻，在输入悬空时使上、下功率

EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专 用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2122 高端的工作电压可达200V, 低 端 Vcc的电源电压范围宽8V～20V, 静态功耗低。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和LIN 内建了200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、 下功率 MOS 管处于关闭状态，输

EG2121 是一款高性价比的大功率 MOS 管、 IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专 用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2121 高端的工作电压可达 200 V, 低端Vcc 的电源电压范围宽10V～20V, 静态功耗低。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 内部200K 下拉电阻和 LIN 内部上拉到5V, 在输入悬 空时使上、下功率 MOS 管处于

EG2123A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、 IGBT 管栅极驱动专用芯片， 内部集成了逻辑信号输入 处理电路、死区时控制电路、 欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2123A 高端的工作电压可达 260V，低端 VCC 的电源电压范围宽 7V～20V。该芯片具有闭锁功能 防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO +0.8A/- 1.2A，采用 TSSOP20

描述： EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、 IGBT 管栅极驱动专用芯片， 内部集成了逻辑信号输入 处理电路、死区时控制电路、 欠压保护电路、 闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2124A 高端的工作电压可达 260V，低端 VCC 的电源电压范围宽 7V～20V。该芯片具有闭锁功能 防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处 于关闭状态，输出电流能力 IO +0.8A/- 1.2A，采用 TSSOP20 和