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0直接替代RC523,FM17580
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10博雅科技自主研发设计的SPI Nor Flash芯片是市场主流的高可靠性存储器产品。广泛应用于手机、电脑主板、机顶盒、电脑主板、U盾、摄像头、物联网模块、监控设备、通讯路由、显示面板、蓝牙模组、定位模块、智能穿戴、智能电表、TWS耳机等应用领域。 通用JEDEC标准的SPI接口Flash存储器; 产品工艺:65/55/50/40nm;存储器容量:512kb~2Gb; 同时支持单、双和四通道功能;传输效率:最高480Mbps; 具有高度可靠性以及良好的稳定性、兼容性; 数据保存时间:20年以上
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1CA‐IS3720CHS、CA‐IS3721CHS、CA‐IS3722 产品特性 • 信号传输速率:DC to 40Mbps • 宽电源电压范围:3.0V to 5.5V • 宽温度范围:‐40°C to 125°C • 无需启动初始化 • 施密特触发器输入 • 默认输出高电平和低电平选项 • 优异的电磁抗扰度 • 高 CMTI:±150kV/µs(典型值) • 低功耗(典型值): ▪ 电流为 2.6mA/通道(@5V,1Mbps ) ▪ 电流为 5.2mA/通道(@5V,40Mbps ) • 精确时序(典型值): ▪ 22ns 传播延迟 ▪ 3ns 脉冲宽度失真 ▪ 1ns 传播延迟偏差 ▪ 20ns 最小
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4KYN663 是一款高度集成的工作在 13.56MHZ 下的非接触读写器芯片,支持符合 ISO/IEC 14443A 和读写模式支持 SO/IEC 14443IB 协议的非接触读写器模式。同时提供了低功耗的外部卡片侦测功能,方便电池供电、需要低功耗工作、并且需要实时处理任意时刻会进入射频场的外部卡片的读写器设备。KYN663 具有低电压、低功耗、单端驱动等特点。适用于低功耗、低电压、低成本要求的非接触读写器应用。
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4单相计量系列HT7017/HT7053C-----出货量超过2亿颗,国网单相市场份额30%。 三相计量系列HT7032/ATT7022E/HT7036-----出货量超过1亿颗,国网三相市场份额80%,终端份额90%。 Arm系列MCU系列HT60XX -----出货量超过1亿颗,国网单相主控份额40%,三相主控份额60%
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2目前国内电力企业芯片基本实现国产化替代,国产芯片也同样能做到品质稳定,性能优良,高性价比。 以太网接口集成电路 WIZNET W5500/S_LQFP48-7X7-0P5 电压参考芯片 领慧 LHR3025BFMA 替代 REF3325AIDBZR/2.5V/±0.15% 存储类芯片 博雅 BY25Q32ESSIG 替代 NOR/4MB/S_SOIC8W 存储类芯片 博雅 BY25Q64ESSIG 替代 NOR/8MB/S_SOIC8W 存储类芯片 博雅 BY25Q16ESSIG 替代 W25Q16JVSSIQ/NOR/2MB 存储类芯片 博雅 BY25QM1G1FS 替代 W25N01GVZEIG/NAND/128MB 存储类芯片 亿存芯 TD25C128 替代 AT24C128C-SSHM-T/EEPROM/16KB 晶振 大普
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3珠海博雅工业级NOR Flash,在电力/工控行业广泛使用,品质稳定,性价比高,可提供电子第五所官方发布的国产化证明/三要素证明. The BY25Q16BS is 16M-bit Serial Peripheral Interface(SPI) Flash memory, and supports the Dual/Quad SPI as well as 2-clocks instruction cycle Quad Peripheral Interface (QPI): Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (/WP), and I/O3 (/HOLD). The Dual I/O data is transferred with speed of 216Mbits/s and the Quad I/O & Quad output data is transferred with speed of 432Mbits/s. The device uses a single
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1触式通信方式和协议,支持 ISO14443A/B 的多层应用。 软件、硬件都完美兼容NZ3801/FM17550/FM17522/FM17520/RC522/CV520,换上去就能直接使用,NZ3801/FM17550/FM17522/FM17520/RC522/CV520软硬件完全兼容直接替代 13.56M读写芯片领域,以前NXP的旗舰型产品RC522是大家使用率最高的,后来复旦微推出的FM17520、FM17522或者FM17550也都不具性价比,现在有一款芯片居然能同时软硬件兼容以上所有的芯片,性能稳定,同时还兼容A/B卡
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3BY25Q128ES是128Mbit SPI (Serial Peripheral Interface)闪存,支持Dual/Quad SPI: Serial Clock、Chip Select、Serial Data I/ 0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP)和I/O3 (/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s, Quad I/O和Quad输出数据传输速度为432Mbits/s。该设备使用单一低压电源,电压范围从2.7伏到3.6伏,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个1024字节的安全寄存器。 与GD25Q128E、GD25Q127C、W25Q128FV、MX25L12835E等完全兼容
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6FRAM铁电存储器是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。 FRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 串行接口存储器的产品阵容有: 16Kbit至4Mbit的SPI接口产品 以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品 4Kbit铁电存储器,IIC接口,SPI接口 MB85RC04PNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 16Kbit铁电
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2CA-IS3080, CA-IS3082, CA-IS3086, CA-IS3088隔离式 RS-485/RS-422 收发器在总线侧与控制器侧(逻辑侧)之间提供高达 5kVRMS 的电气隔离。具有150kV/μs 的共模瞬态抗扰度,支持 20Mbps(CA-IS3088)或 0.5Mbps(CA-IS3080/CA-IS3082)的数据传输速率。 CA-IS3080WX 2.375~5.5 3.0~5.5V 全双工 0.5Mbps 5000 VRMS SOIC16-WB CA-IS3086WX 2.375~5.5 3.0~5.5V 全双工 10Mbps 5000 VRMS SOIC16-WB CA-IS3082WX 2.375~5.5 3.0~5.5V 半双工 0.5Mbps 5000 VRMS SOIC16-WB CA-IS3082WNX 2.375~5.5 3.0~5.5V 半双工 0.5Mbps 5000 VRMS SOIC16-WB CA-IS3088WX 2.375~5.5 3.0~5.5V
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33peak低噪运算放大器TP2434-SR Low Noise: 13nV/√Hz(f= 1kHz) Supply Current: 190μA/ch Offset Voltage: 1 mV (max) Low THD+N: 0.0005% Supply Range: 2.2V to 5.5V Low Input Bias Current: 0.3pA Typical EMIRR IN+: 85 dB( under 2.4GHz) Slew Rate: 0.9 V/μs Gain-bandwidth Product: 1.6MHz Rail-to-Rail I/O High Output Current: 70mA (1.0V Drop) –40°C to 125°C Operation Range Robust 7kV-HBM and 2kV-CDM ESD Rating
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3Fujitsu铁电存储器,富士通亚太区总代理。 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64TPNF-G-JNERE2 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 M
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2TPA132Q在高频噪声环境下,提供了出色的电流检测精度和快速响应,可广泛应用于新能源汽车电机驱动、电源管理和工业自动化等领域。 在汽车电机驱动和工业控制等应用中,PWM(脉宽调制)波常用于调节电机速度、位置或控制阀门的开关状态。PWM信号通过频繁的开关操作来调节电压和电流,然而,这些高频开关操作会带来明显的共模瞬变(ΔV/Δt),对电流检测电路带来噪声干扰、瞬态误差等一系列挑战。 1: 供电电压:3.0V~5.5V 2: 共模电压:-4V~80V 3:
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0TPS65R01Q拥有20mV正向调节功能,降低系统损耗。快速反向关断(Typ:0.39μs),在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。 这款新产品具有电池反向保护功能,可承受最大-65V的反向电压,有效保护与电池相连接的模块和子系统;具有出色的冷启动性能,即使在冷启动运行期间输入电压低于4V(仍高于3.2V)时,也能确保外部NMOS保持正常工作状态。 宽输入电压:3.2V-60V 最大-65V的反向电压承受能力 正向调制电压:20mV 反向关断电压:-11mV 最大关断电
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51Gb HYF1GQ4IDACAE HYF1GQ4UDACAE HYF1GQ4UDADAE HYF1GQ4UTACAE HYF1GQ4UTADAE HYF1GQ4UTDCAE
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2BY25Q16ESSIG、BY25D16ASSIG 与GD25Q16E、W25Q16JV、MX25L1606E等直接兼容 BY25Q32ESSIG、BY25Q32BSSIG 与GD25Q32C、W25Q16FV、MX25L3206E等直接完全兼容 BY25Q64ESSIG、BY25Q64ASSIG 与GD25Q64C、W25Q64FV、MX25L6406E等直接兼容 BY25Q128ESSIG 与GD25Q127C、W25Q128FV、MX25L12835E等直接兼容 BY25Q256FSFIG 与GD25Q256E、W25Q256J、MX25L25673G等直接兼容 BY25QM512FSEIG ......等等
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7汽车电子上要求存储系统必须能够在车辆事故中保存下来——由于碰撞可能导致汽车的低压系统断电,存储需要一种无需连接电源即可保存数据的原生非易失性存储器。除此之外,记录数据的存储必须满足一些严格的条件。
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1TR8253集成了两个100M Fast Ethernet 电流型PHY,支持 100Mbps 全双工和 HP auto MDIX 功能的。并且可以通过MII外接PHY,支持三端口应用,对标LAN9252和LAN9253。 用于工业自动化应用(例如输入/输出 (I/O) 设备、传感器和可编程逻辑控制器 (PLC))的实时工业以太网标准,用于工厂网络中的所有设备:自动化控制器、操作员界面、远程输入/输出单元、传感器、传动器、驱动器等。
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1珠海博雅工业Flash,可直接替代同规格GD、华邦、旺宏Nor Flash,性价比高。 BY25Q16ESSIG、BY25D16ASSIG 与GD25Q16E、W25Q16JV、MX25L1606E等完全兼容 BY25Q32ESSIG、BY25Q32BSSIG 与GD25Q32C、W25Q16FV、MX25L3206E等完全兼容 BY25Q64ESSIG、BY25Q64ASSIG 与GD25Q64C、W25Q64FV、MX25L6406E等完全兼容 BY25Q128ESSIG 与GD25Q127C、W25Q128FV、MX25L12835E等完全兼容 BY25Q256FSFIG 与GD25Q256E、W25Q256J、MX25L25673G等完全兼容 BY25QM512FSEIG ......等等
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1CH392T,SPI/串口,内置PHY、10M自适应切换,内部集成TCP/IP协议栈,8 SOCKET,收发缓存32KB+6KB,供电电压3.3V,封装TSSOP20。低功耗,内置以太网匹配电阻,命令化控制,传输距离可达200m。