晶圆面型参数厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工艺必须考虑的几何形貌参数。其中TTV、BOW、Warp三个参数反映了半导体晶圆的平面度和厚度均匀性，对于芯片制造过程中的多个关键工艺质量有直接影响。 TTV、BOW、WARP对晶圆制造工艺的影响 1.对化学机械抛光工艺的影响：抛光不均匀，可能会导致CMP过程中的不均匀抛光，从而造成表面粗糙和残留应力。 2.对薄膜沉积工艺的影响：凸凹不平的晶圆在沉积过程中会导致沉积薄膜厚度的

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这里没人吗？

1、AlP和GaP有几乎相同的晶格常数（5.4510Å和5.4512Å），GaAs晶格常数（5.6533Å）介于GaP和InP（5.8686Å）之间，因此可以很容易通过调整四元合金（AlxGa1-x）yIn1-yP中In的分子含量来实现晶格匹配。 2、GaAs是唯一可以和(AlxGa1-x)yIn1-yP实现晶格匹配的二元化合物半导体衬底（晶格常数5.6533Å），晶格匹配发生在y=0.52。此外，(AlxGa1-x)yIn1-yP合金和GaAs的热膨胀系数非常接近。 3、在Ga0.5In0.5P中适度加入Al取代部分Ga，既不会改变晶格常数，又可以调节禁带宽度，控制发光

不是畅所欲言吗？怎么灌水都不行了？😢

初来乍到，灌个水挣点经验值： （1）当正向电压V接近VD时，电流将迅速增大，此后电流再增大，电压几乎不变。当掺杂浓度很高时，Vth≈VD≈Eg/e，其中Eg为半导体材料的禁带宽度。 （2）通常所说的LED工作电压是指给LED通20mA电流所需要的电压。实际工作的LED的压降主要来源于：p-n结、n电极接触电阻、n型半导体层体电阻、p电极接触电阻、p型半导体层体电阻。V=Eg/e+IRs。传统LED的接触电阻和体电阻很小，工作电压主要取决于p-n结的性质。 （3）VF1一般指