李绍唐，材料学博士在读
（有删节）
首先，题目中的电子元件，特指半导体器件，即晶体管，所给的链接中也是用来做晶体管了，不是用来做电阻，不是用来做电容，也不是用来做电介质。
而比硅更适合，其实只是个噱头，和所谓的第三代半导体一样，石墨烯有自己的优势和特点，但谈不上更适合。有个老师曾讲过，再也找不到比硅更好的半导体材料了，想想看SiO2，这么丰富的原料，不用担心资源不够，会涨价什么的，并且能够容易的用熔炼的方法长成大块无缺陷的硅单晶，而后切割成一个个十英寸以上的晶圆片，而后用十分简便成熟的光刻的方法整体进行加工，再切割成一个个小的芯片。所以现在的芯片可以非常便宜。
传说中的第二代，第三代半导体，GaAs，Ga2N3，ZnO，特点是直接带隙不易发热，另一方面和石墨烯一样，电子迁移率高。但抱歉，熔炼你们做不了那么大，用化学气相沉积的方法（CVD）制备的话，成本太高。
来吐槽顶楼的分析，既然特指半导体，那么顶楼所讲的导电好，结构坚固这两项其实就不是我们所考虑的，倒是八电子这个思想还是有用的。满足8电子的半导体不一定要是第四族的单质硅和碳，实际上正常的碳是不行的，金刚石不是半导体，想做PN结的话又很难P型掺杂。那么其他族的化合物是可以的，包括了刚才提到的GaAs，GaN，ZnO。若是用于太阳能电池的窄禁带材料，还可以构建很多，如Cu2S，ZnS，CuInSe2等等。
那么石墨烯为什么在半导体方面火起来了呢，那是因为集成电路想不断的减小，硅芯片做到现在十几个纳米的沟道已经是极限，那么再想减小大家就从纳米材料上下功夫，之前的噱头是碳纳米管，大批的高水平文章就是用碳纳米管手工和其他材料搭一搭有二极管，三极管作用的结构，但想用它做集成电路，那是扯淡，所以碳纳米管这个材料找不到实际有效的应用，至今没有得诺贝尔奖。而石墨烯呢，和纳米管是天壤之别，虽然它很薄，但可以做的比较大，CVD的方法好像做到边长10厘米都可以（这篇文章里是用的SiC分解法），而这篇文章文章提到，它还可以用光刻的方法加工成晶体管。而且它又是一个二维结构，一个个晶体管最后就能组成小规模的集成电路。有这个应用前景，所以石墨烯的发现，才能得诺贝尔奖。
很早前的新闻也就是做5个晶体管组成的小电路，后来没留意了。想跟硅抢饭碗，还早。
（有删节）
首先，题目中的电子元件，特指半导体器件，即晶体管，所给的链接中也是用来做晶体管了，不是用来做电阻，不是用来做电容，也不是用来做电介质。
而比硅更适合，其实只是个噱头，和所谓的第三代半导体一样，石墨烯有自己的优势和特点，但谈不上更适合。有个老师曾讲过，再也找不到比硅更好的半导体材料了，想想看SiO2，这么丰富的原料，不用担心资源不够，会涨价什么的，并且能够容易的用熔炼的方法长成大块无缺陷的硅单晶，而后切割成一个个十英寸以上的晶圆片，而后用十分简便成熟的光刻的方法整体进行加工，再切割成一个个小的芯片。所以现在的芯片可以非常便宜。
传说中的第二代，第三代半导体，GaAs，Ga2N3，ZnO，特点是直接带隙不易发热，另一方面和石墨烯一样，电子迁移率高。但抱歉，熔炼你们做不了那么大，用化学气相沉积的方法（CVD）制备的话，成本太高。
来吐槽顶楼的分析，既然特指半导体，那么顶楼所讲的导电好，结构坚固这两项其实就不是我们所考虑的，倒是八电子这个思想还是有用的。满足8电子的半导体不一定要是第四族的单质硅和碳，实际上正常的碳是不行的，金刚石不是半导体，想做PN结的话又很难P型掺杂。那么其他族的化合物是可以的，包括了刚才提到的GaAs，GaN，ZnO。若是用于太阳能电池的窄禁带材料，还可以构建很多，如Cu2S，ZnS，CuInSe2等等。
那么石墨烯为什么在半导体方面火起来了呢，那是因为集成电路想不断的减小，硅芯片做到现在十几个纳米的沟道已经是极限，那么再想减小大家就从纳米材料上下功夫，之前的噱头是碳纳米管，大批的高水平文章就是用碳纳米管手工和其他材料搭一搭有二极管，三极管作用的结构，但想用它做集成电路，那是扯淡，所以碳纳米管这个材料找不到实际有效的应用，至今没有得诺贝尔奖。而石墨烯呢，和纳米管是天壤之别，虽然它很薄，但可以做的比较大，CVD的方法好像做到边长10厘米都可以（这篇文章里是用的SiC分解法），而这篇文章文章提到，它还可以用光刻的方法加工成晶体管。而且它又是一个二维结构，一个个晶体管最后就能组成小规模的集成电路。有这个应用前景，所以石墨烯的发现，才能得诺贝尔奖。
很早前的新闻也就是做5个晶体管组成的小电路，后来没留意了。想跟硅抢饭碗，还早。
