美光宣布出样2GB容量的HMC内存,三到五年内商业化
美光公司今天宣布已经开始出货2GB容量的HMC内存工程样品,这是世界上第一款HMC产品。美光预计在2014年正式量产HMC内存,三到五年内实现商业化。
继联手Altera成功取得验证HMC内存与FPGA互通性进展之后,美光在HMC内存上再下一城,该公司今天宣布已经开始出货2GB容量的HMC内存工程样品,这是世界上第一款HMC产品。美光预计在2014年正式量产HMC内存,三到五年内实现商业化。
HMC(Hybrid Memory Cube,混合内存立方体)是美光、IBM、三星及后来加入的ARM、HP、Hynix、微软等公司联合开发的新一代超高速内存技术,它使用TSV(硅穿孔)技术堆叠多层DRAM芯片,大幅提高了内存的存储密度和速度,带宽是目前的DDR3标准的15倍,功耗减少了70%,而且占用空间减少了90%。2011年发布技术规范, 当时四通道的带宽可达160-240GB/s,八通道时带宽高达320GB/s。
走在HMC研发、生产前列的就是美光公司,不过目前生产的2GB容量还是太小,美光预计2014年早期开始生产4GB容量的HMC内存,2GB和4GB的具体设备则在2014年晚些时候发布。
美光公司今天宣布已经开始出货2GB容量的HMC内存工程样品,这是世界上第一款HMC产品。美光预计在2014年正式量产HMC内存,三到五年内实现商业化。
继联手Altera成功取得验证HMC内存与FPGA互通性进展之后,美光在HMC内存上再下一城,该公司今天宣布已经开始出货2GB容量的HMC内存工程样品,这是世界上第一款HMC产品。美光预计在2014年正式量产HMC内存,三到五年内实现商业化。
HMC(Hybrid Memory Cube,混合内存立方体)是美光、IBM、三星及后来加入的ARM、HP、Hynix、微软等公司联合开发的新一代超高速内存技术,它使用TSV(硅穿孔)技术堆叠多层DRAM芯片,大幅提高了内存的存储密度和速度,带宽是目前的DDR3标准的15倍,功耗减少了70%,而且占用空间减少了90%。2011年发布技术规范, 当时四通道的带宽可达160-240GB/s,八通道时带宽高达320GB/s。
走在HMC研发、生产前列的就是美光公司,不过目前生产的2GB容量还是太小,美光预计2014年早期开始生产4GB容量的HMC内存,2GB和4GB的具体设备则在2014年晚些时候发布。