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关于三星evo的跑分和缓存

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这段时间三星evo的tlc颗粒引起了很大的争议,这里我不想讨论它的寿命问题,也不想说那“神奇”的rapid。
大家都知道tlc的一个问题是写入速度慢,不过由于其有3g的mlc的缓存,实际评测的时候并不会慢,反而是同价位中性能的佼佼者,但这3g缓存用完之后性能肯定会急速下降。
看到这里有人肯定会说3g的缓存日常完全足够了。当然,我也认为足够了。但是,我们评价一块硬盘的读取写入速度的标准是什么呢?当然是指硬盘开始工作到停止工作所需要的时间。不然难道就是指一块硬盘把所有的数据全部拷贝到缓存中就完了吗?我觉得这是没有意义的,因为毫无疑问还得将数据从缓存拷贝到硬盘。但是,这个操作的确是日常使用感觉不到的,然而这与你复制文件,然后把窗口隐藏有何区别?
另外,即使作为缓存,mlc不可能比内存更合适,那这个缓存意义何在?
另外我有一点疑问,就是固态硬盘的寿命我是不担心的,但是区区3g的缓存还是mlc的到底能承受多少次擦写,又能有多长的寿命?


IP属地:美国来自Android客户端1楼2013-12-12 23:39回复
    如果这个缓存实际意义不是那么打,那这个岂不是完全是为跑分而生?


    IP属地:美国来自Android客户端2楼2013-12-12 23:40
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      840EVO 只有120G的 持续写入 掉速严重 120G官方标称写入410M 开始复制东西时 (单个文件) 确实拥有400M/S的速度 但是持续复制大于3G文件时 就会掉速 掉到150M/S左右 (零散文件会掉更多) 但是250G以上 这个3G就会翻倍 而且掉速也不是很大 250G写入6G时才会掉速 大概320M/S左右 500G则是10G以上才会掉速 而且掉速后还会有400M/S以上的速度(这项是本人亲测) 750G 1TB 更不用说了 15G 20G以上才会掉速 而且掉速后也会有450M/S的速度


      IP属地:北京3楼2013-12-12 23:47
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