【入门科普】简单说说半导体工艺

第一个：28nm，叫做制程也行。
这个28纳米不是一般理解的一个晶体管是28纳米，而是半导体加工中的线宽。这是半导体工艺中最直观最明显的参数，比如28nm、45nm等。大家都认为数字越小越先进工艺就越好。不。
首先，半导体的线宽是以下一代是这一代的70%作为工艺进步比例的。
然后举个例子，半导体生产两大巨头，英特尔和台积电，采用的是不同的线宽。英特尔出90nm的时候，台积电用80nm，貌似台积电都比英特尔小一些——英65nm台55nm，英45nm台40nm，英32nm台28nm，英22nm台20nm。实际上，这两家采用的是同一代技术，意思就是说英特尔的32nm和台积电的28nm是同一代技术。小出来的那一点，既不构成代差，也不表示台积电比英特尔先进。
另外，这也出于宣传上的策略考虑。英特尔加工的产品都是自己用，制程只是作为辅助宣传。台积电是要把产品卖给别人的，所以要做为主要宣传点。

第二个：HPM，这个指的是工艺方向。
传统来说同一种工艺要衍生出三种不同的工艺方向：
高性能（High Performance，HP）比如显卡GPU，工作频率很高、性能最大，但是功耗大，漏电也大，这种是插电的设备考虑的。
低功耗（Low Power，LP）比如手机用的SoC芯片，功耗低，耗电小，频率也比较低，性能有限。
通用型（General Proposal，GP，有的又叫做Fast G），介于两者之间的，产品比较少。在移动芯片的权重变大以后这个工艺方向就显得比较鸡肋。
于是你就该知道了，其他的工艺方向万变不离其宗。
台积电有HPL（High Performance Low Power ，高性能低功耗，写作LPH也行）、HPM（High Performance Mobile，移动高性能）和HP、LP。
Global Foundries有SLP（Super Low Power，超低功耗）和HPP（High Performance Plus，高性能加强），和上面的没啥区别嘛就是换个文字而已。
这几个工艺是有差别的。引用炮神的，排除移动设备用不到的HP工艺，台积电的28nm工艺性能和漏电排名
性能：HPM＞HPL ＞ LP
漏电：40nmLP=LP=HPM ＞HPL，HPL的漏电只有LP的60%

第三个：HKMG，这个是工艺技术细节。
这个我也并不是特别了解，总之记得有两种工艺技术，传统的SiON/Poly-Si工艺和后来居上的HKMG工艺就行。
现在主流的就是采用HKMG工艺。
传统PolySi工艺采用二氧化硅作为栅极绝缘层。台积电的低端28 LP就是用PolySi工艺，代表作8960和MT6589。
HKMG（High-K Metal Gate）就是采用高介电常数的金属氧化物代替二氧化硅作为栅极绝缘层，提高栅极对电子的容纳能力和对沟道控制力，进而降低漏电，降低高频率下的功耗。分为Gate First和Gate Last两种，区别在于G First是对硅片进行金属离子注入和后来的退火以前形成栅极，G Last是在这个过程以后形成栅极。
三星/GF用的是技术工艺相对简单的G First。英特尔坚定使用G Last，因为其对栅极金属材料的要求降低，但是要经过高温退火所以工艺也相对复杂。
差不多了吧，我觉得是用最简单的语言了……

补充1：不仅一开始的8960和8064采用的是较为落后的台积电28nm LP SiON/PolySi工艺，连后来的骁龙600 APQ8064T也采用同种工艺。所以高通在工艺上对阵三星是没有优势的。之所以这样，是出于对HKMG的成本考虑和HKMG产能问题。你明白为啥老黄T4为啥上市那么晚了吗，不是老黄不想快。面对初期产能问题，老黄很明白自己的好基友台积电所以激流勇退选择了上一代40LP工艺，结果赢了出货速度输了功耗表现。这一代老黄很耐心的等后来的故事谁都懂。
三星也在代工骁龙600，采用的就是比较先进的28nm HPL HKMG工艺，所以就能出1.9GHz的满血版本。
补充2：同等制程下，HKMG相对于SiON/PolySi，同样频率下漏电可以降低到十分之一，同样漏电下频率可以提升40%。三星提供的数据

我就想知道 “台积电”是什么

学习了
　　　斜眼笑表达的意思是笑不露齿～
　　　

储备库里又有存货了，和别人战时咱也有理论了

收藏。学习了。顺带问一下楼主是什么专业的？

6589和晓龙600都用过居然是同种工艺，耗电差这么多