锲而不舍
为了制作计算机,周立功已经到了如痴如醉的地步,不论到哪里总是带着与计算机和数字电路有关的大学教材。首先从存储器的读写控制电路开始做起,当时他不会绘制PCB板,于是装作用户跑到湖南省计算所去请教。回来后,他用铅笔在绘图纸上走好线,然后贴到覆铜板上钻孔,等打好孔后才知道,原来他用的机械制图的坐标纸的格子,与PCB板的绘图纸尺寸是不同的。他打听到这种绘图纸是辽宁本溪制造的,于是通过在沈阳军区的大伯买到了专用绘图纸。没有制作双面板的条件,怎么办?周立功在覆铜板的背面通过跳线,将过孔用电阻、电容多余的引脚将线连起来,于是就形成了双面板。
1.存储器的读写(1)如果仅读写256个字节,那么只要地址线A0~A7,同时将不要的地址线A8~A14全部接地,其寻址范围为00000000B~1111 1111B,因此需要8个地址开关才能满足寻址要求,还要8个LED灯作为地址信号显示器。由于存储器只有数据线D0~D7,同样要8个数据开关用于产生数据和8个LED灯作为数据信号显示器。/CE常用在多存储器电路中作为片选线,当/CE为逻辑1时,则禁止器件工作,反之则选中该器件,即将/CE接地使其处于工作状态,然后再连接存储器读写控制开关,即构成存储器读写电路。当按下/WR键时,将由数据开关KD0~KD7所产生的数据写入由地址开关KA0-KA7所产生的地址存储“房间”。当按下/RD键时,将由地址开关KA0~KA14所确定的地址存储“房间”的电平数据反映在存储器D0~D7数据线上。由于KDi(i= 0~7)的状态不是0就是1,因此从存储器读出的数据与KD0~KD7产生的数据在总线上势必发生冲突。显然,当将数据从存储器读出时,则必须断开数据开关KD0~KD7与数据总线D0~D7的联系。当将上述准备工作做好后,此时只要接通电源,即可向SRAM写入数据。首先将地址开关KA0~KA7全部拨为0,即存储器的8位地址数为0000 0000B,LED地址显示器全部熄灭。此时,如果将数据开关KD0~KD7也全部拨为0,即与00000000B地址对应的数据为0000 0000B,再按下/WR键将数据0000 0000B写入到存储器的0000 0000B单元。接着将KA0~KA7拨为0000 0001B,同时将KD0~KD7拨为0000 1111B,再按下/WR键将数据0000 1111B写入到存储器的0000 0001B单元。重复上述操作方法拨动地址开关和数据开关,再按下/WR键……直到全部数据写入完毕为止。
存储器读写控制电路原理图(1)
检查数据的操作首先用跳线器连接/EN与Vcc(/EN=1),关闭74HC125三态缓冲器,断开数据开关KD0~KD7与数据总线D0~D7之间的联系。先将地址开关拨为00000000B,接着按下/RD键,此时即可在LED数据显示器上读到先前输入的数据(注意,必须在键被按下时才能看到)。再将地址开关拨为00000001B,然后再按下/RD键就能在显示器上读到+1地址的数据…… 综上所述,当/EN=0写使能信号同步打开74HC125三态缓冲器时,KD0~KD7所产生的数据接入总线,此时只要按下/WR键,则将数据写入到存储器相应的单元中。一旦数据输入完毕,当/EN=1读使能信号同步关闭74HC125三态缓冲器时,此时只要按下/EN键,不管KD0~KD7是高电平或低电平,则输出均为高阻态,从而保证数据开关KD0~KD7退出总线控制。
为了制作计算机,周立功已经到了如痴如醉的地步,不论到哪里总是带着与计算机和数字电路有关的大学教材。首先从存储器的读写控制电路开始做起,当时他不会绘制PCB板,于是装作用户跑到湖南省计算所去请教。回来后,他用铅笔在绘图纸上走好线,然后贴到覆铜板上钻孔,等打好孔后才知道,原来他用的机械制图的坐标纸的格子,与PCB板的绘图纸尺寸是不同的。他打听到这种绘图纸是辽宁本溪制造的,于是通过在沈阳军区的大伯买到了专用绘图纸。没有制作双面板的条件,怎么办?周立功在覆铜板的背面通过跳线,将过孔用电阻、电容多余的引脚将线连起来,于是就形成了双面板。
1.存储器的读写(1)如果仅读写256个字节,那么只要地址线A0~A7,同时将不要的地址线A8~A14全部接地,其寻址范围为00000000B~1111 1111B,因此需要8个地址开关才能满足寻址要求,还要8个LED灯作为地址信号显示器。由于存储器只有数据线D0~D7,同样要8个数据开关用于产生数据和8个LED灯作为数据信号显示器。/CE常用在多存储器电路中作为片选线,当/CE为逻辑1时,则禁止器件工作,反之则选中该器件,即将/CE接地使其处于工作状态,然后再连接存储器读写控制开关,即构成存储器读写电路。当按下/WR键时,将由数据开关KD0~KD7所产生的数据写入由地址开关KA0-KA7所产生的地址存储“房间”。当按下/RD键时,将由地址开关KA0~KA14所确定的地址存储“房间”的电平数据反映在存储器D0~D7数据线上。由于KDi(i= 0~7)的状态不是0就是1,因此从存储器读出的数据与KD0~KD7产生的数据在总线上势必发生冲突。显然,当将数据从存储器读出时,则必须断开数据开关KD0~KD7与数据总线D0~D7的联系。当将上述准备工作做好后,此时只要接通电源,即可向SRAM写入数据。首先将地址开关KA0~KA7全部拨为0,即存储器的8位地址数为0000 0000B,LED地址显示器全部熄灭。此时,如果将数据开关KD0~KD7也全部拨为0,即与00000000B地址对应的数据为0000 0000B,再按下/WR键将数据0000 0000B写入到存储器的0000 0000B单元。接着将KA0~KA7拨为0000 0001B,同时将KD0~KD7拨为0000 1111B,再按下/WR键将数据0000 1111B写入到存储器的0000 0001B单元。重复上述操作方法拨动地址开关和数据开关,再按下/WR键……直到全部数据写入完毕为止。
存储器读写控制电路原理图(1)
检查数据的操作首先用跳线器连接/EN与Vcc(/EN=1),关闭74HC125三态缓冲器,断开数据开关KD0~KD7与数据总线D0~D7之间的联系。先将地址开关拨为00000000B,接着按下/RD键,此时即可在LED数据显示器上读到先前输入的数据(注意,必须在键被按下时才能看到)。再将地址开关拨为00000001B,然后再按下/RD键就能在显示器上读到+1地址的数据…… 综上所述,当/EN=0写使能信号同步打开74HC125三态缓冲器时,KD0~KD7所产生的数据接入总线,此时只要按下/WR键,则将数据写入到存储器相应的单元中。一旦数据输入完毕,当/EN=1读使能信号同步关闭74HC125三态缓冲器时,此时只要按下/EN键,不管KD0~KD7是高电平或低电平,则输出均为高阻态,从而保证数据开关KD0~KD7退出总线控制。