1. 存储器的读写（2）如果感到用跳线器来改变/EN信号状态比较麻烦，我们也可以设计一个读/写使能控制电路，详见图1.2。其中的S1为Read读使能键，S2为写使能键。
图1.2 读/写使能控制电路
当S2（Write）键按下时，U10B输入端5被拉为低电平，U10B输出高电平驱动写状态LED灯点亮。同时U10A输入端2也转换为高电平，U10A输入端1由电阻R47上拉为高电平，因此U10A输出低电平作为/EN（Data）使能信号打开74HC125三态缓冲器，此时由KD0～KD7手动数据输入电路产生的8位二进制数据，通过8个已开通的三态缓冲器送到存储器的数据总线D0～D7。在此状态下只要选定好地址，设置好数据，就可以对存储器写入数据了。在读取数据时，先按下S1（Read）键，U10A输入端1被拉为低电平，U10A输出高电平。同时U10B输入端4也转换为高电平，U10B输入端5由电阻R48上拉为高电平，所以U10B输出6低电平使写状态LED灯熄灭，表示当前状态为读数据操作。即U10A的输入端2为低电平，则U10A输出高电平作为/EN（Data）使能信号关闭74HC125三态缓冲器，其输出高阻态相当于断开数据开关KD0~KD7与数据总线D0～D7之间的联系，从而使存储器的输出数据不会受到数据输入电路的影响。此时，仅需在KD0～KD7分别串联8个三态缓冲器（2片74HC125）即可满足上述要求，详见图1.3。
图1.3 存储器读写控制电路（2）
当将/EN置1（用跳线器连接Vcc与/EN）时，即可关闭三态缓冲器，其输出高阻态相当于断开数据开关KD0～KD7与数据总线D0~D7之间的联系。此时，只要按下/RD键，即可将数据从存储器读出。当将/EN置0（用跳线器连接GND与/EN）时，即可打开三态缓冲器，则KD0～KD7产生的数据通过三态缓冲器传递到数据总线上。此时，只要按下/WR键，即可将数据写入存储器。