继着国内SSD的市场逐渐成熟，产品细分化是必然的选择。三星也谙熟其中市场策略，从830时代开始，三星就推出840PRO、840两款不同定位的SSD，之后针对840/840Pro升级的840 EVO/850Pro，都瞄准了细分化的市场。更精准的人群定位、更出色的性能表现，更高的性价比让三星SSD长期占据着销量榜首位置。
一年的时间过去了，840EVO 升级版本 850EVO也如期而至。由于定位于入门SSD用户，这款产品的关注度远胜于前不久发布旗舰产品850PRO。到底三星850EVO的性能表现如何？在哪方面进行升级？能否平息用户对于3bit 闪存稳定性、可靠性的质疑？……带着一连串的疑问，一起进入三星850EVO 500G SSD的首发评测。
四个问题帮您全面了解三星850EVO：
●问题1：闪存是否有变化？
跟很多人期待的一样，闪存确实有所变化。三星850EVO系列采用基于三星独家的3D-NAND技术 3bit闪存。
三星850EVO系列采用了最新的3D V-NAND 3Bit 闪存
三星自己的32层3D V-NAND技术，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。三星850EVO 通过改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个细胞层，从而提高密度，降低碳足迹，提供更出色的效能表现以及更好的稳定性、可靠性，并有助于提升3bit闪存的耐用性。
●问题2：主控上是否有升级？
三星850EVO 500G采用最新的MGX主控
相比于840EVO 的MEX主控，三星850EVO 120G、250G及500G均采用了最新MGX主控（1TB版本仍旧是MEX主控）。新一代MGX主控特别针对低容量版本进行随机读写性能的优化，且功耗表现更出色，并支持队列TRIM指令，支持AES-256位加密。
●问题3：三星850EVO的效能表现如何？
三星850EVO系列主要特性
产品 120GB 250GB 500GB 1TB
主控 MGX MEX
缓存容量 256MB 512MB 512MB 1GB
闪存 三星1xnm 3D V-NAND 3bit闪存
持续读取(MB/s) 540
持续写入(MB/s) 520
随机IOPS 读 4K QD32 94,000 97,000 98,000
随机IOPS 写 4K QD32 88,000 90,000
平均故障间隔时间 150万个小时
保修年限 5年
三星850EVO除了提供最大1TB容量外，还拥有120G、250G以及500GB三种容量。性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS，堪称性能读写的佼佼者。此外，相比于840EVO 的3年质保，850EVO提供长达5年的质保，看得出三星对3D V-NAND闪存还是非常有信心的。
●问题4：850EVO的市场售价如何？主要竞争对手有哪些？
上市时，价格会稍微高一些，有外媒爆料上市价120G/250G/500G/1TB分别是100美元、146美元、258美元、477美元，这样价格有一些水分，相信国内市场会比这个价格更低一些。提到它的竞争对手，包括浦科特M6S、英睿达MX100、闪迪Ultra等都拥有不俗的竞争力。
三星850EVO 采用了全新的白色包装，与以前的三星SSD大为不同，简约明了的风格给人一种耳目一新的感觉。
包装的背面还清晰印有3D V-NAND闪存的标志。
三星850EVO 500G正面（右下角为840EVO）
与840EVO相比，三星850EVO的外观还是做出明显的改动，外壳的颜色更黑一些，三星的LOGO也变成了白色。其 采用醇黑金属外壳设计，经过特殊的金属拉丝工艺处理，质感十足，坚固耐用。
由于采用三星TurboWrite技术，三星 850 EVO在性能方面表现相当突出，连续读取速度可达540 MB/s，写入速度可达520 MB/s；500G版本提供 90K IOPS 的随机写入速度，可快速存储大量数据和执行多任务处理。此外，据官方称，对于500GB和1TB两个型号，在每日写入 高达80GB 数据的基础上可连续使用5年，具有出色的可靠性与稳定性。
通过背部的标签，可以清楚地看到，850EVO的型号为MZ-75E500，容量为500GB，电压为5V，电流为1.4A。由于采用的全新MGX主控，在功耗上要比840EVO、850PRO更低一些。
三星850EVO 厚度突破7mm，达到惊人的6.8mm超薄，加上铝合金的外壳，轻与薄非它莫属，很适合于超薄类的笔记本以及空间有限Mini台式机选用。
接口方面，采用主流的SATA 3.0接口，理论传输速度 6Gb/s，以三星850EVO 系列的读写性能来看，几乎达到SATA3.0的理论传输极限了。
一年的时间过去了，840EVO 升级版本 850EVO也如期而至。由于定位于入门SSD用户，这款产品的关注度远胜于前不久发布旗舰产品850PRO。到底三星850EVO的性能表现如何？在哪方面进行升级？能否平息用户对于3bit 闪存稳定性、可靠性的质疑？……带着一连串的疑问，一起进入三星850EVO 500G SSD的首发评测。
四个问题帮您全面了解三星850EVO：
●问题1：闪存是否有变化？
跟很多人期待的一样，闪存确实有所变化。三星850EVO系列采用基于三星独家的3D-NAND技术 3bit闪存。
三星850EVO系列采用了最新的3D V-NAND 3Bit 闪存
三星自己的32层3D V-NAND技术，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。三星850EVO 通过改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个细胞层，从而提高密度，降低碳足迹，提供更出色的效能表现以及更好的稳定性、可靠性，并有助于提升3bit闪存的耐用性。
●问题2：主控上是否有升级？
三星850EVO 500G采用最新的MGX主控
相比于840EVO 的MEX主控，三星850EVO 120G、250G及500G均采用了最新MGX主控（1TB版本仍旧是MEX主控）。新一代MGX主控特别针对低容量版本进行随机读写性能的优化，且功耗表现更出色，并支持队列TRIM指令，支持AES-256位加密。
●问题3：三星850EVO的效能表现如何？
三星850EVO系列主要特性
产品 120GB 250GB 500GB 1TB
主控 MGX MEX
缓存容量 256MB 512MB 512MB 1GB
闪存 三星1xnm 3D V-NAND 3bit闪存
持续读取(MB/s) 540
持续写入(MB/s) 520
随机IOPS 读 4K QD32 94,000 97,000 98,000
随机IOPS 写 4K QD32 88,000 90,000
平均故障间隔时间 150万个小时
保修年限 5年
三星850EVO除了提供最大1TB容量外，还拥有120G、250G以及500GB三种容量。性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS，堪称性能读写的佼佼者。此外，相比于840EVO 的3年质保，850EVO提供长达5年的质保，看得出三星对3D V-NAND闪存还是非常有信心的。
●问题4：850EVO的市场售价如何？主要竞争对手有哪些？
上市时，价格会稍微高一些，有外媒爆料上市价120G/250G/500G/1TB分别是100美元、146美元、258美元、477美元，这样价格有一些水分，相信国内市场会比这个价格更低一些。提到它的竞争对手，包括浦科特M6S、英睿达MX100、闪迪Ultra等都拥有不俗的竞争力。
三星850EVO 采用了全新的白色包装，与以前的三星SSD大为不同，简约明了的风格给人一种耳目一新的感觉。
包装的背面还清晰印有3D V-NAND闪存的标志。
三星850EVO 500G正面（右下角为840EVO）
与840EVO相比，三星850EVO的外观还是做出明显的改动，外壳的颜色更黑一些，三星的LOGO也变成了白色。其 采用醇黑金属外壳设计，经过特殊的金属拉丝工艺处理，质感十足，坚固耐用。
由于采用三星TurboWrite技术，三星 850 EVO在性能方面表现相当突出，连续读取速度可达540 MB/s，写入速度可达520 MB/s；500G版本提供 90K IOPS 的随机写入速度，可快速存储大量数据和执行多任务处理。此外，据官方称，对于500GB和1TB两个型号，在每日写入 高达80GB 数据的基础上可连续使用5年，具有出色的可靠性与稳定性。
通过背部的标签，可以清楚地看到，850EVO的型号为MZ-75E500，容量为500GB，电压为5V，电流为1.4A。由于采用的全新MGX主控，在功耗上要比840EVO、850PRO更低一些。
三星850EVO 厚度突破7mm，达到惊人的6.8mm超薄，加上铝合金的外壳，轻与薄非它莫属，很适合于超薄类的笔记本以及空间有限Mini台式机选用。
接口方面，采用主流的SATA 3.0接口，理论传输速度 6Gb/s，以三星850EVO 系列的读写性能来看，几乎达到SATA3.0的理论传输极限了。
