半导体晶片制造领域
随着电子产业的技术发展，半导体晶片的传统机械切割工艺已被激光切割工艺所取代。在激光切割工艺中，由于激光的热量会产生烟雾并会扩散，从而导致晶片的上表面被污染，使产品的合格率和随后的应用可靠性大幅降低。
通常技术上的解决办法是用水溶性树脂涂在晶片的上表面形成一个保护膜，然后放射激光进行切割。即是如此，由于激光的热量，硅气体也会由晶片的切割面产生，使晶片的保护膜分层。而且烟雾会与硅气体一起产生，可积聚在处于分层状态的保护膜与晶片的上表面之间。当随后用水清洗晶片的保护膜时，这些烟雾沉积物未被清除掉，残留下来就会成为缺陷。
在保护膜中加入有效量的碳酸甘油酯，利用其强极性溶剂、并和水完全互溶的特性，即可得到理想的效果（注：PC和BC在室温下，分别具有10%和25%、或更小的水溶性）。