薄膜金属化的原理，薄膜金属化技术的原理：在薄膜介质表面蒸镀上足够薄的金属层，在介质存在缺陷的情况下，该镀层能够蒸发并因此隔离该缺陷点起到保护作用，这种现象被称作自愈。图4为金属化镀膜的原理图，蒸镀前薄膜介质先进行前期处理（电晕或其他方式）以便金属分子能够附着在上面。金属通过在真空状态下高温溶化蒸发（铝的蒸发温度1400摄氏度~1600摄氏度，锌的蒸发温度400摄氏度~600摄氏度），当金属蒸气遇被冷却的薄膜后凝结在薄膜表面（薄膜冷却温度-25摄氏度~-35摄氏度），从而形成金属镀层。金属化技术的发展提高了单位厚度的薄膜介质的介电强度，干式技术脉冲或放电运用电容设计可以达到500V/μm,直流滤波运用电容设计可以达到250V/μm.DC-Link电容属于后者，根据IEC61071对于电力电子运用电容的要求可以承受较为苛刻的电压冲击，可以达到2倍的额定电压。因此使用者只需考虑其设计所需的额定工作电压就可以了。金属化薄膜电容器具有较低的ESR,使其能承受较大的纹波电流；较低的ESL满足逆变器的低电感设计要求，减少了开关频率下的震荡效应。