目前主流LED照明应用，仍以直流(DC)驱动LED为大宗，是在大电流低电压下工作，为提升使用电压，一般采用集成封装(COB)结构，即多颗芯片串并联。然而LED想在发光输出强化，即必须增加驱动电能功率、增加偏压，而DC LED在驱动电压、电流有一定程度上限，因此导致市电需先透过AC-DC电路转换成DC LED所需驱动电压后，才能驱动LED光源应用于照明用途。
近年来，LED照明灯具的设计更倾向于简便化和轻薄化，而高压芯片以其灵活性，多样性及其低成本性等优势为市场所看好。与传统DC LED功率芯片相比，HV LED芯片具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高，线路损耗低等优势。HV LED的介电材料制法也是制程关键处，因为较窄细的绝缘沟槽，会让金属蒸镀制法的材料不容易进入沟槽之中，形成元件内部的金属导电薄膜产生的厚度或是连续性造成影响，直接影响制程产品良率。
随着技术难题的突破，高压芯片有望成为未来芯片市场主流，但是其本身所具有的技术难度和工艺水准也让很多企业望而生畏。
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