实际要在rf和rf_1之间加一个传感器L，V1V3模拟差分的高压（先用20V调试）输入信号激发传感器L产生低压回波信号（1mv左右）,V2控制Q1-Q4四个mos的通断，将高压隔断，低压导通到R1R2及后端的信号处理电路分开。当V2低电平时，4个mos断开，V1V3高压不会到R1R2的低压端，进而保护低压电路；当V2高电平时，4个mos导通，将低压回波信号传输到R1R2的低压端进行信号处理；
仿真结果却是V2低电平时，高压信号还是能通过mos管的体电容耦合到R1R2端。请问我这里出了什么问题，还是这种方法不行？能起到隔离高压导通低压的电路还有什么方法。
