型号:T9 256;固件版本:PC803G3
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直接拆盘。
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正面三颗闪存一颗主控:主控MARVELL 88SS9187、闪存TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89
细心的朋友可以看到使用的是建兴N9S系列企业级SSD的PCB,因为PCB上有N9S的字样。
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反面一颗闪存一颗缓存:缓存NANYA H5TC4G63AFR、闪存TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89
细心的朋友看图可以发现TH58TEG9EDJBA89四颗其实批号略有不同,不过这种颗粒是东芝10000P/E寿命的企业级eMLC颗粒,比MLC的寿命要长三倍以上。另外PCB右边那一排空焊点是N9S企业级的掉电保护电容位置,民用级产品拿掉了电容。
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TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89是东芝生产的Toggle 2.0 的企业级eMLC闪存,单颗64GB,内部封装是8个Die,每个Die容量为64Gbit = 8GB。每个颗粒有4个CE,采用19nm制程制造。
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我精简了一些内容从闪存编号开始解读闪存,让大家了解一下该闪存芯片,其中红色为特别关注内容。
①TH58T=东芝TOGGLE模式多层堆叠闪存
②E=VCC和VCCQ电压;
③G9=512Gbits=64GB
④E=eMLC
⑤D代表:IO带宽=X8;BLOCK=4M;PAGE=16K
⑥J=1Xnm=T19nm,T19nm技术并不是完全的19nm制程,而是24nm和19nm的过渡制程,直到A19nm才是完整的15-19nm的制程工艺,大家都知道,制程越老,颗粒的寿命和质量越好,但是成本越高,现在24nm的MLC颗粒已经绝种了,更不要说企业级eMLC了。
⑦BA=BGA封装
⑧8=4CE
⑨9=TSOP封装形式的大小规格
G9是容量,第二个E是闪存类型,J是制程,8是CE和Die数,这样大家看到闪存,就可以推算出效能和芯片类型。
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Marvell 88SS9187 主控是一颗双核主控,内部集成的处理器为Marvell 88FR102 V5 CPU,支持8根闪存通道,每根通道传输率200MB/s,支持最大1GB的DDR3缓存用来存放FTL映射表。Marvell 88SS9187主控一共支持8通道,每根通道4CE,因此这块板的布局使用了主控的32CE的一半16CE而已,因此要塞满这颗主控的最大容许的32CE,我估计得512GB的盘才可以达到性能最大化。
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这里是1颗海力士DDR3外置缓存,型号H5TC4G63AFR(512MB),参数1.35V 1600 CL 11,总容量512MB。一般就市场上大部分的SSD来说256GB的SSD使用的是256MB的缓存,这颗T9还是比较另类的,256GB容量使用了512MB的缓存。