1.如何判被判别可控硅损坏原因？
回答：当可控硅损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。按下面介绍几种常见现象分析：
（1).电压击穿。可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
(2).电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
(3).电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
(4).边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
(5).G-K 电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压（）12V）而损坏，其芯片G-K间有烧焦的通路（短路痕迹）。

4.使用可控硅要注意什么？
回答：选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
(1).选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
(2).使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。
(3).严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
(4).电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
(5).按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
(6).要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

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