逆变电源是一种较为常见的电流转换电源，它能够将普通的直流电转换为所需的交流电。在逆变电源的H桥当中，有时需要将电路中的MOS管替换为IGBT。但在替换之后的开机带载很有可能发生炸机。
想要避免这种情况，可以从峰值电流保护入手，做好驱动和保护就能保证IGBT不会爆炸，本篇文章详解了这种逆变H桥IGBT单管驱动保护的方法，希望能对大家有所帮助。
被人们熟知的逆变电源H桥电路，也可称为逆变电源的后级。本设计中需要加上IGBT，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET要脆弱，也就是说，在逆变H桥里同样的电流容量下，MOSFET的承受能力要比IGBT高。
也许有的朋友会认为一个IRFP460，20A/500V的MOSFET，再加上SGH40N60UFD40A/600V的IGBT应该足以防止爆炸的发生，但实际情况却是，带载之后突然加负载和撤销负载，之后就炸机了。
通过不断的实践后，其实只要遵循特定的规律，完全可以防止炸机的发生。就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸。我们将这个问题看出几个部分来解决：驱动电路；电流采集电路；保护机制。
驱动电路
这次采用的IGBT为IXGH48N60B3D1，驱动电路如下：
图1 IXGH48N60B3D1驱动电路图 这是一个非常典型的应用电路，完全可以用于IGBT或者MOSFET，但是也有些不一样的地方。
从整体来看，这个电路并没有保护，用在逆变电源上肯定会炸机。所以我们要做的就是将这个电路的实质摸清楚。
在图1当中，驱动电阻R2在驱动里头非常重要，D1配合关闭的时候，让IGBT的CGE快速的放电，但在这里需要说明的是，这个D1可以根据需要进行添加，可在D1回路里头串联一个电阻做0FF关闭时候的栅极电阻。
波形图片和实例
图2 图2是波形图，是在不同的栅极电阻下，与HV+400V共同产生作用的时上下2个IGBT栅极的实际情况。
图2（a）是在取消负压的时候，上下2管之间的栅极波形，栅极电阻都是在10R情况下。在不加DC400V情况下测量2管G极波形，图2（b）是在DC400V情况下，2管的栅极波形。
为何第二个图会有一个尖峰呢?这个要从IGBT的内部情况说起，简单来说，IGBT的GE上有一个寄生的电容，它和另外的CGC一个寄生电容共同组成一个水池子，那就是QG，其实这个和MOSFET十分接近。
那么在来看看为何400V加上去就会在下管上的G级上产生尖峰。

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图3 如图3所示，当上管开通的时候，此时是截止的，由于上管开通的时候，要引入DV/DT的概念，这个比较抽象，先不管它，简单通俗的说就是上管开通的时候，上管等效为直通了，+DC400V电压立马加入到下管的C级上，这么高的电压立刻从IGBT的寄生电容上通过产生一个感应电流，这个感应电流图3有公式计算，这个电流在RG电阻和驱动内阻的共同作用下，在下管的栅极上构成一个尖峰电压，如上面那个示波器的截图所示。到目前为止，都还没有提到米勒电容的概念，但是只要理解了这些，然后对着规格书一看，米勒电容是什么，对电路有何影响，就容易理解多了。