此楼来芯片详解。
版型是标准的慧荣版，版本v24b。
主控芯片2246EN AA。
内存南亚的，型号NT5CB256M16DP，速度ddr3 1600往上吧。512MB，96-ball bga。
闪存颗粒是sk hynix，颗粒坑了。
型号是H27Q2T8CEB9R BCF
详解，海力士nand flash 电压2.7到3.6或1.8 容量2t bit 也就是256GB 16die的mlc 第三代产品 有坏块超过5个貌似 工作温度0到70 读写速度400MB每秒
某些字母解释没写，不太确定

此楼说明开卡无解原因，upantool那里找2246的开卡工具，下载后，对flash的颗粒支持，最大是1t，也就是单颗粒128G，这个的支持型号没有。估计最新的工具还在厂家手里啊！

焊接满有多大容量

我得也是这个坑爹版本

写入太慢了吧

你这个颗粒和主控是可以达到400多写入的， H27Q2T8CEB9R 是16堆叠4ce的颗粒，通过internal interleave，可以模拟为16ce，双颗粒可以达到32ce，也就是占满sm2246en的全部ce。
只有100多的原因9成是没有开internal interleave，也就是单纯是开卡时少打一个勾的原因。
我的几个贴子里面有和你同PCB同颗粒但是写入400M的。
可以参考我这个贴子，用开卡工具测一下实际的ce占用，9成是只有8ce是在使用的。
http://tieba.baidu.com/p/4559763344

我马上到8级了，就想水一次吧务别关我小黑屋

已经有不少两颗 H27Q2T8CEB9R，但是持续写入400的案例了，长PCB的也有我一下子翻不到了。


目前观察到写入400的全是通道和ce占满的，只需要用老的开卡工具检测一下坏块就能确认实际占用了。确认原因的话可以给其他已经上车或者想上车的人一个参考。

主要确认的是这两个地方，我把原文拷过来了：
我的不需要拆盘，只需放进移动硬盘盒就能读取。
在首页scan drive识别硬盘之后，点红框那里

再点下面的card mode，我的可以看到internal interleave mode字样，而前面的写入200多的1TB硬盘没有这个。

然后在flash diagnosis这页，点一下坏块分析，能看出来是跑在了4通道8CE上，前abcd四条通道有坏块，后面efgh都是0000（sm2246en本来就只有4通道）。

确认完LZ这个案例，如果和我推测的一样就基本上盖棺定论了。

External Interleave Mode
Interleave Mode
New Seed
New LBA
2 Way Interleave
Total Channel Number : 4
DRAM size is 512MB
Single DRAM
DRAM Vendor: Nanya
DRAM Clock: 380Mhz
Support UnAlign Plane
Plane2SeqBlock
MLC
Page16k
Page256
Data ECC bit:48
Plane number:2
Manual To Toggle
Multi Plane Mode
Enable Multi Plane Read
CardMode0 : 1E
CardMode1 : 19
CardMode2 : 85
FlashOpt0 : 49
FlashOpt1 : 24
FlashOpt2 : 00
FlashOpt3 : 35
FlashOpt4 : 1C
FlashOpt5 : 00

这一半是有坏块数据的，说明这一部分的通道和CE是已经启用的。

另外一个写入只有1T的只有这么点ce是有数据的。我现在就是想确定你手上这块的internal interleave是否有打开，以及ce的设置情况。

就是这个嘛，我以为你要看哪个，id那里已经有了。