我国集成电路重大专项成绩斐然。专项实施前，我国集成电路高端装备和材料基本处于空白状态，完全依赖进口，产业链严重缺失。通过9年艰苦攻关，我国成功研制14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等100多种材料产品，性能达到国际先进水平，通过了大生产线的严格考核，开始批量应用并出口到海外，实现了从无到有的突破，填补了产业链空白。同时，制造工艺与封装集成由弱渐强，技术水平飞速跨越，国际竞争力大幅提升。2008年以前，我国集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米、研发工艺为90纳米，专项实施至今，主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，并形成自主知识产权。封装企业三维高密度集成技术研发也达到国际先进水平。可喜的还有，集成电路专项高度重视创新技术研究，从战略高度布局核心技术的知识产权，已申请了2.3万余项国内发明专利和2000多项国际发明专利，所形成的知识产权体系使国内企业在国际竞争中的实力和地位发生了巨大变化，发展模式也从“引进消化吸收再创新”转变为“自主研发为主加国际合作”的新模式。

下意识以为是11纳米的手机处理器

此次发布的专项成果包括9年来已研发成功并进入海内外市场的30多种高端装备和上百种关键材料产品，面向全球开展服务的65至28纳米产品工艺和高密度封装集成技术成果。发布会上，集成电路专项技术总师叶甜春表示，我国集成电路专项已经在14纳米装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署，预计到2018年将全面进入产业化。“十三五”还将重点支持7—5纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发，支持中国企业在全球产业链中拥有核心竞争力，实现产业自主发展，形成特色优势。

我国集成电路产业近几年蓬勃发展，重大专项发挥了显著的创新引领和技术支撑作用。上海市科委总工程师傅国庆表示，集成电路装备既是信息产业的核心支撑技术，又是制造业的领先高端技术，是两个产业的交叉战略制高点。集成电路装备对配套产业的技术要求很高，它的发展带动了我国精密加工能力、表面处理能力、基础材料、基础工艺、基础零部件等水平的提升，推动我国制造业向高端发展。
　　据了解，利用专项取得的核心技术，辐射应用到LED、传感器、光伏、液晶面板等泛半导体制造领域，使我国相关领域装备国产化率大幅提升。国内企业应用专项的高端成果研制出了成套的LED和光伏制造装备，使得我国LED和光伏等泛半导体产业综合竞争力大幅跃升，投资成本显著降低，产业规模和技术水平实现了国际领先。

呆湾

11，9，呆蛙和劣等棒再见

^^^这卫星放的让中芯国际还怎么骗钱？

2008以前130纳米
进步这么快吗

是国内哪一家呢？不过现在世界主流开始过渡到10nm，研发7nm。

可是台湾的老板跟我说大陆的研究都是垃圾，都是为了混职称，学术成果研究都是假的耶

我还以为能做cpu了

其实差距还是很大的，并没有说的那么乐观。18年才量产14nm，现在14nm的产品满大街都是了。而且衡量工艺的好坏不能单纯的只看工艺节点。
总的来说，成绩不错进步很快，但是需要追上的差距还不小，还不是松一口气的时候～

楼主，给出新闻出处。