高压低功耗同步升压控制芯片HB6803
功能特性简述
l 高效率>90%
l 同步N型MOSFET整流
l VCC宽输入范围：2.5V至24V
l 1.5%的输出电压精度
l 高位电流采样
l 空载时低静态电流：60uA
l 内置软启动
l 开关频率600/900KHz
l 关断电流<8uA
l PWM峰值电流模控制
l 轻载自动切换Burst模式
l 逻辑控制使能端
l Cycle-By-Cycle峰值电流限制
l 工作环境温度范围：-40℃～125℃
l DFN12L\SSOP-14封装
应用
l 移动电话
l 工业供电
l 通讯硬件
概述
HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制，驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率，减小功耗，并且减轻散热要求，所以HB6803可以应用在大功率环境。
2.5V到24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式，在轻载Burst模式下静态电流低至60uA。
HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时，芯片电流降至8uA以下。
典型应用电路
管脚定义
HB6803 DFN12L封装 HB6803 SS0P-14封装
DFN12L封装
序号 符号 I/O 描述
1 VCC I 输入电源
2 ENB I 使能端
3 CSN I 高位电流检测输入负端
4 CSP I 高位电流检测输入正端
5 COMP O 环路补偿管脚
6 FB I 输出端反馈电压
7 GND - 模拟地
8 LGATE O 同步低位功率MOSFET驱动输出
9 LDO O 5V内置稳压输出
10 BOOT - 同步高位功率MOSFET驱动电源正端
11 HGATE O 同步高位功率MOSFET驱动输出
12 LX - 同步高位功率MOSFET驱动电源负端
SSOP-14封装
序号 符号 I/O 描述
1 VCC I 输入电源
2 ENB I 使能端
3 CSN I 高位电流检测输入负端
4 CSP I 高位电流检测输入正端
5 COMP O 环路补偿管脚
6 FB I 输出端反馈电压
7 AGND - 模拟地
8 PGND _ 功率地
9 LGATE O 同步低位功率MOSFET驱动输出
10 PLDO O 功率5V内置稳压输出
11 ALDO O 模拟5V内置稳压输出
12 BOOT _ 同步高位功率MOSFET驱动电源正端
13 HGATE O 同步高位功率MOSFET驱动输出
14 LX _ 同步高位功率MOSFET驱动电源负端
模块功能框图
最大工作范围
最小 最大 单位
电压范围 VCC, EN -0.3 40 V
BOOT-LX, LDO -0.3 6
FB -0.3 6
HGATE-LX, LGATE -0.3 LDO
CSP -0.3 40
LX -2 40
工作结温 -40 125 ℃
推荐工作条件
最小 最大 单位
电压范围 VCC 2.5 24 V
BOOT-LX, LDO 0 5
FB 0 5
HGATE-LX, LGATE 0 LDO
CSP-CSN -0.2 0.2
LX -2 40
工作结温 0 125 ℃
电气参数
2.5V<VCC<24V,0℃<Tj<125℃, 典型情况Temp=25℃ VCC=12V
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
输入电压电流
VCC供电电压 VCC 2.5 24 V
VCC供电电流 IVCC Burst休眠模式，FB=1.25V，空载 60 uA
EN=0V 8 uA
FB电压调整
调整反馈电压 VFB 1 V
反馈电压精度 -1.5% +1.5%
FB负载调整率 CSP-CSN从0到120mV 0.013 %/mV
FB电压调整率 VCC从3到40V 0.002 %/V
LDO输出
LDO输出电压 LDO 5.2V<VCC<24V，LDO负载0到50mA 5 V
LDO欠压锁定 VUVLO LDO上升 2.1 V
LDO下降 2 V
ENB使能 VENB ENB高电平 2 V
ENB低电平 0.5 V
CSP使能 VCSP CSP高电平 2.2 V
CSP低电平 2.1 V
振荡器和驱动输出
开关振荡频率 FOSC 600/900 kHz
最大占空比 DMAX 83 %
最小开启时间 TMIN 80 ns
驱动输出上升时间 TR CLOAD=5nF， 10% to 90% 20 ns
驱动输出下降时间 TF CLOAD=5nF， 90% to 10% 20
死区时间 TIDLE CLOAD=5nF 40 ns
保护
FB过压保护阈值 VOVP 1.1 V
零电流保护阈值 VZCD VCC-CS，检测电阻两端压降 3 mV
最大峰值电流保护阈值 VLIM VCC-CS，检测电阻两端压降 120 mV
内置温度保护阈值 TTEMP 160 ℃
温度迟滞 THYS 20
功能描述
主控制回路
HB6803采用恒定频率，电流模升压控制结构。在正常模式，底部主功率MOSFET在时钟置位时打开，在ICMP峰值电流控制比较器复位时关断。峰值电流比较器的由电感电流和误差放大器EA的输出触发和产生复位信号。误差放大器比较输出的反馈电压FB和内部的1.2V基准。
在底部主功率MOSFET关断时，顶部整流MOSFET开启；在电感电流临界，即将开始反向时，顶部整流MOSFET断开。
LDO输出
对顶部和底部MOSFET驱动和大部分内部电路供电。最大电流限制在50mA。
关闭和启动
HB6803在ENB为高时关闭。此时芯片的功耗降到8uA以下。ENB为逻辑低电平时，芯片启动。
最大峰值电流限制
HB6803在正常模式工作时，外部检测电阻上的压降超过75mV时，PWM控制器立即关断以防止电感电流过高。
轻载Burst模式
HB6803能在轻载时自动切换到Burst模式，提高工作效率。
当电感的平均电流高于负载所需时，误差放大器EA的输出会随之降低，当EA的输出低到阈值时，进入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均关断。此时，HB6803内部大部分电路也关断，总电流减小到60uA。当输出反馈电压FB降低，误差放大器的输出开始升高，Burst的休眠模式终止，环路继续正常工作。
输出过电压保护
HB6803内置过电压保护功能。当输出电压过高时，比如说负载突然移除时产生的过电压，该功能可以保护芯片本身和其他元器件。当FB大于1.1V时，该功能立即关闭PWM控制器，底部和整流MOSFET的驱动。
封装和包装尺寸
功能特性简述
l 高效率>90%
l 同步N型MOSFET整流
l VCC宽输入范围：2.5V至24V
l 1.5%的输出电压精度
l 高位电流采样
l 空载时低静态电流：60uA
l 内置软启动
l 开关频率600/900KHz
l 关断电流<8uA
l PWM峰值电流模控制
l 轻载自动切换Burst模式
l 逻辑控制使能端
l Cycle-By-Cycle峰值电流限制
l 工作环境温度范围：-40℃～125℃
l DFN12L\SSOP-14封装
应用
l 移动电话
l 工业供电
l 通讯硬件
概述
HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制，驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率，减小功耗，并且减轻散热要求，所以HB6803可以应用在大功率环境。
2.5V到24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式，在轻载Burst模式下静态电流低至60uA。
HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时，芯片电流降至8uA以下。
典型应用电路
管脚定义
HB6803 DFN12L封装 HB6803 SS0P-14封装
DFN12L封装
序号 符号 I/O 描述
1 VCC I 输入电源
2 ENB I 使能端
3 CSN I 高位电流检测输入负端
4 CSP I 高位电流检测输入正端
5 COMP O 环路补偿管脚
6 FB I 输出端反馈电压
7 GND - 模拟地
8 LGATE O 同步低位功率MOSFET驱动输出
9 LDO O 5V内置稳压输出
10 BOOT - 同步高位功率MOSFET驱动电源正端
11 HGATE O 同步高位功率MOSFET驱动输出
12 LX - 同步高位功率MOSFET驱动电源负端
SSOP-14封装
序号 符号 I/O 描述
1 VCC I 输入电源
2 ENB I 使能端
3 CSN I 高位电流检测输入负端
4 CSP I 高位电流检测输入正端
5 COMP O 环路补偿管脚
6 FB I 输出端反馈电压
7 AGND - 模拟地
8 PGND _ 功率地
9 LGATE O 同步低位功率MOSFET驱动输出
10 PLDO O 功率5V内置稳压输出
11 ALDO O 模拟5V内置稳压输出
12 BOOT _ 同步高位功率MOSFET驱动电源正端
13 HGATE O 同步高位功率MOSFET驱动输出
14 LX _ 同步高位功率MOSFET驱动电源负端
模块功能框图
最大工作范围
最小 最大 单位
电压范围 VCC, EN -0.3 40 V
BOOT-LX, LDO -0.3 6
FB -0.3 6
HGATE-LX, LGATE -0.3 LDO
CSP -0.3 40
LX -2 40
工作结温 -40 125 ℃
推荐工作条件
最小 最大 单位
电压范围 VCC 2.5 24 V
BOOT-LX, LDO 0 5
FB 0 5
HGATE-LX, LGATE 0 LDO
CSP-CSN -0.2 0.2
LX -2 40
工作结温 0 125 ℃
电气参数
2.5V<VCC<24V,0℃<Tj<125℃, 典型情况Temp=25℃ VCC=12V
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
输入电压电流
VCC供电电压 VCC 2.5 24 V
VCC供电电流 IVCC Burst休眠模式，FB=1.25V，空载 60 uA
EN=0V 8 uA
FB电压调整
调整反馈电压 VFB 1 V
反馈电压精度 -1.5% +1.5%
FB负载调整率 CSP-CSN从0到120mV 0.013 %/mV
FB电压调整率 VCC从3到40V 0.002 %/V
LDO输出
LDO输出电压 LDO 5.2V<VCC<24V，LDO负载0到50mA 5 V
LDO欠压锁定 VUVLO LDO上升 2.1 V
LDO下降 2 V
ENB使能 VENB ENB高电平 2 V
ENB低电平 0.5 V
CSP使能 VCSP CSP高电平 2.2 V
CSP低电平 2.1 V
振荡器和驱动输出
开关振荡频率 FOSC 600/900 kHz
最大占空比 DMAX 83 %
最小开启时间 TMIN 80 ns
驱动输出上升时间 TR CLOAD=5nF， 10% to 90% 20 ns
驱动输出下降时间 TF CLOAD=5nF， 90% to 10% 20
死区时间 TIDLE CLOAD=5nF 40 ns
保护
FB过压保护阈值 VOVP 1.1 V
零电流保护阈值 VZCD VCC-CS，检测电阻两端压降 3 mV
最大峰值电流保护阈值 VLIM VCC-CS，检测电阻两端压降 120 mV
内置温度保护阈值 TTEMP 160 ℃
温度迟滞 THYS 20
功能描述
主控制回路
HB6803采用恒定频率，电流模升压控制结构。在正常模式，底部主功率MOSFET在时钟置位时打开，在ICMP峰值电流控制比较器复位时关断。峰值电流比较器的由电感电流和误差放大器EA的输出触发和产生复位信号。误差放大器比较输出的反馈电压FB和内部的1.2V基准。
在底部主功率MOSFET关断时，顶部整流MOSFET开启；在电感电流临界，即将开始反向时，顶部整流MOSFET断开。
LDO输出
对顶部和底部MOSFET驱动和大部分内部电路供电。最大电流限制在50mA。
关闭和启动
HB6803在ENB为高时关闭。此时芯片的功耗降到8uA以下。ENB为逻辑低电平时，芯片启动。
最大峰值电流限制
HB6803在正常模式工作时，外部检测电阻上的压降超过75mV时，PWM控制器立即关断以防止电感电流过高。
轻载Burst模式
HB6803能在轻载时自动切换到Burst模式，提高工作效率。
当电感的平均电流高于负载所需时，误差放大器EA的输出会随之降低，当EA的输出低到阈值时，进入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均关断。此时，HB6803内部大部分电路也关断，总电流减小到60uA。当输出反馈电压FB降低，误差放大器的输出开始升高，Burst的休眠模式终止，环路继续正常工作。
输出过电压保护
HB6803内置过电压保护功能。当输出电压过高时，比如说负载突然移除时产生的过电压，该功能可以保护芯片本身和其他元器件。当FB大于1.1V时，该功能立即关闭PWM控制器，底部和整流MOSFET的驱动。
封装和包装尺寸
