回答这几个问题首先要澄清的是，QE计算有2种电场，适用的场合不同，（1）对于非扩展体系，如表面slab模型，分子等，这时体系中有真空层，在真空层中加入一个电偶极子，也就是一个沿着z方向（z是垂直表面方向）的势能的突变，这个突变的宽度要求很小，用eopreg设置。（2）用berry phase加入电场，这种方法要求体系是没有真空层的，或者有真空层但是在slab的面内（x，y方向）用berry phase加电场。
对于导体，方法（1）金属slab加电场会让正负电荷在两个表面积累，这种电荷转移的量很大，QE计算几乎不可能收敛。方法（2）金属加berry phase，由于berry phase是在倒空间一个闭合的曲面上的积分，金属的占据带不是闭合的，无法定义Berry phase。
至于设置，偶极子电场需要用到edir | emaxpos | eopreg | eamp和tefield，berry phase电场是lelfield ，efield
对于导体，方法（1）金属slab加电场会让正负电荷在两个表面积累，这种电荷转移的量很大，QE计算几乎不可能收敛。方法（2）金属加berry phase，由于berry phase是在倒空间一个闭合的曲面上的积分，金属的占据带不是闭合的，无法定义Berry phase。
至于设置，偶极子电场需要用到edir | emaxpos | eopreg | eamp和tefield，berry phase电场是lelfield ，efield
