三星UFS闪存不完全一览（含命名规则举例）

命名规则举例：KLUDG8V1EE-B0C1（UFS2.1，TLC）
字符1： K: "Samsung Memory" 三星内存（运存/闪存）
字符2： L: "MOVI NAND, MCP" 闪存或MCP产品
字符3： U: 闪存接口类型为"UFS"
字符4-5 DG: Memory density is 128GB (AG for 16GB, BG for 32GB,CG for 64GB, EG for 256GB)
字符6： 8: Composition is NAND8 + Microcontroller 封装中含有8个NAND芯片及微控制器
字符7： V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC 闪存架构为TLC
字符8： 1: Supply voltage, mode 电压，模式
字符9： E: Controller version 控制器版本（与HS-Gx x-Lane有关）
字符10：E: Flash type E-die 闪存颗粒类型 E-die（M、A、B、C、D、E、F、G）
字符11： -: 连字符
字符12： B: Package type is FBGA lead-free, halogen-free 无铅无卤素FBGA封装
字符13： 0: Revision None 未修改原始版本
字符14： C: Speed 高速 （与接口协议版本有关）
字符15： 1: Normal sample 正常样品
其中，第7个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为1或9；
2）TLC（Triple-Level Cell）为V、U或Z；
3）MLC（Multi-Level Cell）为A、B、C、D、E、G、J、K等。

你说的好像是真的，6+64的三星都是mlc，目前不确定的就是4+64 ufs2.1的三星了，我觉得应该也是mlc，4+64和6+64的闪存应该是混用的