1. TXRF原理及仪器
TXRF（全反射X射线荧光光谱仪）激发X射线以<0.1度的原级X射线激发样品，样品置于载台上，原级射线以全反射经过载体表面，激发出X射线荧光，用样品上方的Si探探测器进行探测，通过EDXRF光谱仪进行定量分析，可以得出不同位置的表面元素杂质的种类和浓度，一般检测限在1E9at/cm3以上。
2. 技术指标：
（1）可以测定8寸及以下晶圆，适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等
（2）元素分析范围（Na~U）
（3）1E9 原子/cm² 检测限
（4）为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标
Table1：TXRF仪器针对元素的检测种类及探测极限
元素 LLD 元素 LLD 元素 LLD
使用W靶X射线光源探测 使用Mo靶X射线光源
S 80 Fe 3.2 Br 8.0
Cl 40 Ni 2.0 Au 13
K 20 Cu 1.8 Ga 26
Ca 16 Zn 1.5 As 13
Ti 10 Pd 130 Pb 8.0
Cr 5.0 Sn 70 Ta 26
Ba 50 W 22
Pt 16
TXRF（全反射X射线荧光光谱仪）激发X射线以<0.1度的原级X射线激发样品，样品置于载台上，原级射线以全反射经过载体表面，激发出X射线荧光，用样品上方的Si探探测器进行探测，通过EDXRF光谱仪进行定量分析，可以得出不同位置的表面元素杂质的种类和浓度，一般检测限在1E9at/cm3以上。2. 技术指标：
（1）可以测定8寸及以下晶圆，适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等
（2）元素分析范围（Na~U）
（3）1E9 原子/cm² 检测限
（4）为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标
Table1：TXRF仪器针对元素的检测种类及探测极限
元素 LLD 元素 LLD 元素 LLD
使用W靶X射线光源探测 使用Mo靶X射线光源
S 80 Fe 3.2 Br 8.0
Cl 40 Ni 2.0 Au 13
K 20 Cu 1.8 Ga 26
Ca 16 Zn 1.5 As 13
Ti 10 Pd 130 Pb 8.0
Cr 5.0 Sn 70 Ta 26
Ba 50 W 22
Pt 16
