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CFMS2019嘉宾精彩演讲

一、紫光集团
紫光集团联席总裁刁石京先生在本次峰会中分享了紫光集团开创中国存储格局。刁石京表示，在整个半导体行业中，存储产业占比三分之一，市场需求前景十分可观，还有未来的5G、AI、云计算和大数据对存储提出的更高的要求。随着科技的进步，无论市场怎么变化，都有其发展空间。作为企业要在不断变化的产业中找到自己的定位。紫光集团作为集团化公司，从系统、部件、整机全都有，在当前市场环境中，紫光需要抓住机遇，融合创新，摸索和上下游合作，探索新的发展模式。

二、闪存市场
2019年存储市场虽然经历了一些曲折，但是存储产业有两点是不会变的，不断增长的市场需求和不断提高的产品技术。深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜先生预计2019年NAND Flash存储容量将达到3050亿GB当量，较2018年增长35%，但由于DRAM和NAND Flash价格在2019上半年双双持续下滑，全球存储市场规模有所下降，在1100亿美金左右，其中DRAM市场规模670亿美金，NAND Flash市场规模430亿美金。

三、三星
在本次峰会上，三星存储计划部全球副总裁Sohn Hangu先生向大家分享了三星V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇。三星认为在服务器市场，未来的IOT、无人机、物联网等应用，都将与服务器相连接并产生更多的数据，这会进一步刺激存储需求的增长，尤其是看好中国市场未来有很大的增长机遇。因此，三星推动V-NAND技术的可持续性发展，从2013年第一代V-NAND到最新第六代技术，每一年的更新迭代，加速新技术不断涌入市场，而最新的第6代128层V-NAND将在2019年实现大规模量产。为了更好的满足不同领域和市场的需求，三星所研发的第二代Z-SSD解决方案，读取延迟会进一步降低，而性能会提升4倍。

四、西部数据
西部数据与三星一样看好数据中心的需求，西部数据高级副总裁兼中国区总经理Steven Craig先生认为到2023年会有超过100ZB的数据产生出来，这将改变对整个NAND Flash行业的看法和预期。基于快速增长的存储需求，西部数据2018年量产96层3D NAND，2020年将进入100层以上，于此同时相较于TLC更高容量的QLC（4Bit）也在快速增长，西部数据预计从2018年到2023年面向数据中心的SSD EB当量复合增长率将保持在44%以上，2025年QLC将贡献50%的存储容量。西部数据也不仅推出了分区式存储ZNS SSD产品，最新发布的HDD数据存储可达到20TB。

五、东芝
东芝技术执行官Shigenori Yanagi先生重点介绍了最新的3D NAND技术，目前在四日市的工厂量产64层和96层3D NAND，且将最新的技术导入到SSD中应用，同时还将带来SAS 4.0和PCIe 4.0 SSD新品，推动产品速度的提升。另外，为了满足数据中心领域需求，东芝推出了一种XL-Flash低延迟存储技术，将可推出具有吸引力的SSD，同时东芝看好EDSFF SSD在数据中心和企业级市场的应用，预计将有望从2021年以后投入市场，并且在市场中的份额会持续攀高。

六、美光
美光集团副总裁Dinesh Bahal先生在峰会上分享了对NAND产业前景和技术发展的看法。美光3D NAND技术发展快速推进，从2018年开始向96层3D NAND技术切换，正在实现128层第四代3D NAND，希望能够进一步提高收益，向128层、1YY层甚至2XX技术发展，再加上TLC向QLC架构过渡，预估全球每年NAND Flash Bit持续增长率达43%，到2023年预计将有97%的PC电脑用SSD，美光不仅推出了SATA/NVMe SSD，还提供了UFS、eMMC、Micro SD等产品满足市场需求。

七、英特尔
英特尔中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生也认为存储是一个快速增长的市场，而大数据和人工智能的普及，以及AI和5G推动更多新的应用，需要用不同的存储介质，搭配在整个存储架构里面。本次峰会上，刘钢先生介绍到英特尔傲腾和QLC带来的存储解决方案，是集合了3D Xpoint技术和QLC的优势，在京东等云服务上实现更大容量，以及更优的成本效益，实现异构存储，完美互补。

八、长鑫存储
在本次峰会上，长鑫存储未来技术评估实验室副总裁平尔萱先生带来《DRAM的技术趋势与行业应用》的主题演讲。DRAM技术从60年代发明出来，70年代开始进入市场，五十年来持续演变。从早期简单的平面结构，变化为向三维空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。而在DRAM技术的演进过程中，长鑫存储的技术来源——奇梦达在生产沟槽式架构DRAM的同时，在2008年开发了堆叠式架构DRAM。在这中间，所有堆叠式架构的优点都体现出来，比如说电容内外双面积的应用，平面最密集排布以及电容与晶体管错位式连接技术等，这些都被现代的DRAM产品所沿用。


对于DRAM的未来技术发展，平尔萱副总裁表示，DRAM是有极限的，若导入EUV及HKMG等，可以缩小线宽以及加强外围电路性能，从而推迟极限的到来。而同时长鑫存储也不断在DRAM技术上进行投入，目前已建造完成第一座12英寸DRAM晶圆厂，未来将在新材料、新架构上进行更多探索，同时保持与相关企业的合作。

九、慧荣科技
控制芯片厂是存储产业重要的一个环节，是推动NAND Flash产业发展的加速器。在本次峰会上，慧荣科技总经理Wallace Kou先生认为控制芯片要符合所有大厂的需求，并提供有效的方案，这对每个企业而言是一个很大的挑战。经过短短数年的积累，慧荣表现出来了惊人的成绩，从2015年至今，SSD主控累计出货已经超过2.1亿颗，过去十年NAND控制器出货量超过60亿颗，并与所有NAND Flash原厂在下一代3D NAND合作上保持密切的关系，希望在5G和AI时代大展宏图。

十、群联电子
群联电子董事长潘健成先生在本次峰会上发表了主题为“群联模式，无法复制”主题演讲。今年六月底群联发布了全球首款PCIe 4.0主控芯片PS5016-E16，PS5016-E16是基于PS5012的升级而来，从研发到量产仅用时9个月。随后又发布同样支持PCIe 4.0的两款分别DRAM-Less和DRAM-Base主控芯片PS5019-E19T和PS5018-E18。潘健成表示，群联很早就要求所有技术要自主研发，除了CPU不是自己的之外，所有的部件到集成全部自己做，坚持以技术为根本，坚持有技术才能完成自己的事。

十一、美满电子科技
Marvell闪存事业部市场副总裁Nigel Alvares先生在峰会上表示，在如今数字时代中，大家一切都与数据息息相关，也为闪存产业的发展带来了新的机遇。Marvell为了应对大量存储需求对于电力消耗、设计复杂度和系统成本所造成的压力，推出了革命性NVMe-oF™产品组合。这些突破性的解决方案，包括由Marvell NVMe-oF SSD转换控制器提供支持的Toshiba Memory原生NVMe-oF以太网固态硬盘（SSD），这是世界首款以太网直接连接SSD。此外，还有与DapuStor合作推出的高性能NVMe SSD, 采用Marvell 88SS1098 NVMe SSD 系列主控，拥有强大吞吐量性能及优异的产品性能。

十二、江 波 龙电子

十三、兆易创新
在本次峰会上，兆易创新代理总经理何卫先生表示兆易创新立足存储，布局控制+传感生态系统；投资DRAM，助力中国存储事业；布局新型存储，对标国际一流公司。兆易创新一直致力于NOR Flash产业，伴随产业成长。全球NOR Flash市场排名第四，占据14%的市场份额，SPI NOR排名第三。累计到2018年，兆易创新NOR Flash整体出货量突破100亿颗。兆易创新投资合肥长鑫，合作12英寸晶圆存储器研发项目；同时自主研发DRAM相关技术，与长鑫形成良好的协同和互补。此外，兆易创新也和美国的RRAM合资，布局新型存储方面技术的发展。