我的毕设是要复现出蓝移宽带可调太赫兹频率超材料完美吸收器仿真

我的毕设是要复现出蓝移宽带可调太赫兹频率超材料完美吸收器仿真，是用外部泵浦光改变ElC谐振器中心的半导体的电导率，然后改变吸收器吸收峰的频率位置。求大佬告知我该用什么物理场啊，我现在试的是半导体光电子学.频域，然后网页搜索要我外部泵浦光用射线加热或者微波加热。然后底部加了个散射边界条件。周期性条件学的别的案例设置的，然后我暂时的网格图是这样的，然后求解不知道怎么搞，前面的也感觉没搞好，有没有大佬能指点指点我。