近日，江波龙（Longsys）表示，长江存储的128层3D NAND 512Gb将用于旗下雷克沙的nCARD产品上，通过高堆叠16 die工艺，明年上半年可实现1TB容量的量产，具备了存储终端介质的优势条件，加速手机存储卡TB时代的到来，而未来在尺寸、读写速度、安全性等更多拓展上，将会带来更多可能。
其实，近年来国产存储的发展非常亮眼，4月13日，长江存储宣布他们128层堆叠的3D闪存研发成功，有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC，以及128层堆叠的3D TLC X2-9060，新的产品采用Xtacking 2.0架构，进一步释放3D闪存的潜能，X2-6070是128层堆叠的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060则是是128层堆叠的512Gb 3D TLC，都是基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，它们均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率，是当前业界最高。
nCARD是江波龙（Longsys）旗下雷克沙品牌在今年3月2日发布的全新形态存储卡，与MicroSD存储卡相比，完全相同的尺寸下体积减小45%，可与NANO SIM卡共享卡槽，目前，该产品已通过性能、品质测试，并已做好量产准备。
其实，近年来国产存储的发展非常亮眼，4月13日，长江存储宣布他们128层堆叠的3D闪存研发成功，有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC，以及128层堆叠的3D TLC X2-9060，新的产品采用Xtacking 2.0架构，进一步释放3D闪存的潜能，X2-6070是128层堆叠的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060则是是128层堆叠的512Gb 3D TLC，都是基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，它们均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率，是当前业界最高。
nCARD是江波龙（Longsys）旗下雷克沙品牌在今年3月2日发布的全新形态存储卡，与MicroSD存储卡相比，完全相同的尺寸下体积减小45%，可与NANO SIM卡共享卡槽，目前，该产品已通过性能、品质测试，并已做好量产准备。
