金刚石具有良好的电学性能、热学性能和力学性能，如低介电常数、较大的禁带宽度、高热导率和高硬度［1－2］。其优异的物理化学性质使其具有非常广阔的应用前景，是目前最具发展前途的新型功能材料之一。如何制备出沉积速率高、沉积面积大且成膜质量好的金刚石薄膜一直是目前研究的热点。热丝化学气相淀积(hotfilamentchemicalvapordeposition，HFCVD)具有操作容易、结构简单、成本较低、能够沉积大面积薄膜等优点被广泛采用［3－4］。用HFCVD法在金刚石薄膜中掺入B原子，使之成为p型半导体，可以制成电化学电极，用于污水处理时的阳极材料。许多因素都制约着金刚石薄膜的成膜质量和电化学性质，如衬底的表面状态和沉积室气压会影响金刚石的形核密度，衬底和灯丝的温度会影响金刚石的生长速率，热丝材质会影响热丝的使用寿命等［5］。在其他工艺参数已经优化的条件下，本文主要研究丙酮体积分数和电解质浓度这两个因素对金刚石薄膜表面形貌和掺硼金刚石(boron-dopeddiamond，BDD)电极的电化学特性的影响。采用HFCVD来制备不同丙酮体积分数的掺硼金刚石薄膜，通过原子力显微镜(AFM)来表征和分析金刚石膜的成膜质量，以及利用电化学工作站来研究BDD电极的电化学特性