三星c die(默认3200 CL16)超频记录_图拉丁吧

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三星c die(默认3200 CL16)超频记录

希望三到十年后如果有人捡DDR4的垃圾，可以看到这条帖子。
i9 9900KS 主板华硕M11H CPU核心电压1.24V全核(Bios内，CPUZ 1.16-1.21V) 防掉压LL6 AVX-0，Ring 4.8GHz
内存3733 CL17(17-20-20-36，电压1.45V，极限)
内存3600 CL17(17-20-20-36，电压1.45V，稳定)
内存3600 CL18(18-20-20-36，电压1.35V，稳定)
主板微星Z390 GODLIKE CPU核心电压1.2V 5GHz全核负载线3 AVX-0，Ring 4.8GHz
内存4000 CL18(18-22-22-42，电压1.45V，稳定)

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来自Android客户端1楼2021-03-14 17:14回复

改进一下，优化内存小参步骤
1.txp改为4或5
2.找到RTL/IOL Init Value,RTL...改为1，IOL逐步压制，同时观察这两个参数附近的小参，尽量改的一致，或两两相同，越低越好（稳定性第一）
3.改动小参的话就要参照Auto值把不想改动的值手动输入锁死，防止出现同输入参数，多次后开机性能下降/系统不稳的情况
...
大参数和电压范围可以先照抄其他人的数值，但一定要先放宽时序，加高电压保证稳定性,初始试开机值如下
3200CL13-16,3600CL14-18.4000CL15-20,4400CL17-22......
DDR4默认1.2V，XMP默认超频1.35V，4000以下建议1.4V以下，4000起1.4V+
日常使用只要能想办法压住温度不蓝屏卡顿死机，1.7V以下皆可，超频一般2V以下

IP属地:吉林

3楼2021-03-21 23:17

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