去铟球清洗（外延快测后没有清洗铟球会导致粘片破片）
去铟球清洗采用ITO（氧化铟锡）腐蚀液，33℃水浴下30min左右。
外延片清洗采用H2SO4：H2O2：H2O=5：1：1，60℃水浴，30sec
P-Mesa光罩作业
部分为铬，紫外光无法透过，被光照区域光刻胶被显影液除去，留下刻蚀区域。
N-ITO蚀刻前预处理
利用氧气加射频将ITO欲蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶，影响蚀刻效果。
ITO蚀刻
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀10min
P-mesa刻蚀
利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离子为氯离子，现刻蚀深度带ITO测量为12000Ǻ左右。
去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO。
ITO光罩作业
将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO。
P-ITO蚀刻前预处理
原理同N-ITO蚀刻前预处理
ITO蚀刻
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min
N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备
ITO合金
合金目的：
主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧姆接触。
熔合条件：
温度：500℃，10min
N/P电极光罩作业
采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域。
N/P电极蒸镀&金属剥离
采用蒸镀机，电极分三层：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分别为：200Ǻ﹨ 300Ǻ ﹨ 12000Ǻ
金属合金
合金目的：
增强欧姆接触，提高稳定性
熔合条件：
温度：250℃，5min
SiO2沉积
采用设备：PECVD
主要气体：SiH4/N2O
SiO2作用：保护芯片，增加亮度
开双孔光罩作业
将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻
将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。
目前不同光刻工艺区别：
三道光刻：ITO光刻-MESA光刻-PAD光刻
四道光刻：CB-ITO-MESA-PAD
五道光刻：CB-ITO-MESA-PAD-PV
高压芯片六道光刻：MESA-ISO-CB-ITO-PAD-PV
去铟球清洗采用ITO（氧化铟锡）腐蚀液，33℃水浴下30min左右。
外延片清洗采用H2SO4：H2O2：H2O=5：1：1，60℃水浴，30sec
P-Mesa光罩作业
部分为铬，紫外光无法透过，被光照区域光刻胶被显影液除去，留下刻蚀区域。
N-ITO蚀刻前预处理
利用氧气加射频将ITO欲蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶，影响蚀刻效果。
ITO蚀刻
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀10min
P-mesa刻蚀
利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离子为氯离子，现刻蚀深度带ITO测量为12000Ǻ左右。
去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO。
ITO光罩作业
将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO。
P-ITO蚀刻前预处理
原理同N-ITO蚀刻前预处理
ITO蚀刻
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min
N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备
ITO合金
合金目的：
主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧姆接触。
熔合条件：
温度：500℃，10min
N/P电极光罩作业
采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域。
N/P电极蒸镀&金属剥离
采用蒸镀机，电极分三层：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分别为：200Ǻ﹨ 300Ǻ ﹨ 12000Ǻ
金属合金
合金目的：
增强欧姆接触，提高稳定性
熔合条件：
温度：250℃，5min
SiO2沉积
采用设备：PECVD
主要气体：SiH4/N2O
SiO2作用：保护芯片，增加亮度
开双孔光罩作业
将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻
将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。
目前不同光刻工艺区别：
三道光刻：ITO光刻-MESA光刻-PAD光刻
四道光刻：CB-ITO-MESA-PAD
五道光刻：CB-ITO-MESA-PAD-PV
高压芯片六道光刻：MESA-ISO-CB-ITO-PAD-PV
