突破纳米晶体管:接近埃米,量子隧穿效果增加,漏电流加大。如何继续缩小尺寸。
反过来使用,直接用隧穿电流代替代替原本pn节导通电流,反向加压增加pn节耗尽层厚度,关断隧穿电流。整个逻辑反过来使用。
附上AI:如何通过改变材料的哪些性质来提高量子隧穿效应的效率?
为了提高量子隧穿效应的效率,可以通过改变材料的以下性质来实现:
势垒高度和厚度:量子隧穿效应涉及到微观粒子穿过一个势能垒的现象。通过降低势垒的高度或减少势垒的厚度,可以增加隧穿的概率。例如,铁电材料的极化翻转特性可以用来改变势垒的厚度和高度,从而调控量子隧穿效应。
材料的导电性:材料的导电性会影响隧穿电流的大小。选择具有较高导电性的材料作为势垒或导电通道,可以提高隧穿电子的传输效率。
能带结构:材料的能带结构,特别是带隙的大小和载流子的有效质量,对量子隧穿效应有显著影响。较小的带隙和较轻的载流子有效质量可以增加隧穿概率。例如,二维材料的各向异性能带色散可以被利用来优化隧穿晶体管的性能。
界面特性:材料的界面特性,包括晶格匹配度和界面态密度,会影响隧穿电子的注入和传输。优化材料界面可以减少散射和反射,从而提高隧穿效率。
温度:温度的变化会影响材料的电子结构和载流子的统计分布,进而影响量子隧穿效应。在某些情况下,降低温度可以增加隧穿电流,因为热振动引起的散射减少。