半导体根本不是说多少多少纳米就牛了,全国产现在难以做到14nm的原因有很多,例如光源或者是finfet工艺等,一般来说解决finfet就能做到14nm到3nm,要是真90nm那还是在平面fet的水平,我们应该已经解决finfet这个问题一段时间了,只要保证去美就足够。我国在半导体科研的前沿应该来说还是不弱,比如mos2的一些工作做到1nm以内国内有不少课题组能做,碳纳米管沟道也有眼研究。现在正好赶上finfet的工艺被开发到尽头,卡在3nm无法前进,我们布局新一代非硅基沟道然后再光刻机赶上我觉得这一天将不久能看到