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倒影如画，在这乡村的静谧里。西安求购英飞凌芯片英飞凌IGBT收购130-7631-6973近来我们收到很多询问是关于英飞凌MOS管替换和英飞凌IGBT替换的，例如：国产新洁能MOS管的哪一款可以替换英飞凌MOS管？英飞凌coolmos可以用什么替换？英飞凌IGBT可以用国产IGBT替换吗？下面就为大家一一解答：其实很多款国产MOS管都可以按照参数替换英飞凌MOS管，主要根据电压，电流等参数让工程师判断下即可，不可否认的是英飞凌MOS管和英飞凌IGBT确实在技术方面比国产好一些，但是也不要盲目只相信进口，例如新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样，可以与英飞凌MOS管相差无几。而且近年来MOSFET国产替代的需求比较明显，国产替代已经进入了高速增长期，越来越多的中小型客户已经完成了高比例的国产化，在工业领域以及部分细分领域，国产化率已经达到50%以上。曾有客户问英飞凌coolmos可以用什么替换？新洁能的超结功率MOSFET就可以替换，举个例子，在很早前，新洁能就已在锂电池充电器中做了实验，输出为48V，2A的充电器。效率可达90%。基本参数为650V，20A，Rdson160毫欧姆。可以使用S-J功率MOS管替代英飞凌MOS管，新洁能的超结MOSFET系列目前推出的产品包含500V，600V，650V，700V，800V普通系列，以及针对全桥，板桥，LLC谐振开关等应用，体二极管特性的500V，650VTF系列；同时为您提供TO-263，TO-252，TO-220，TO-220F，TO-247在内的多款封装选择。英飞凌MOS管和英飞凌IGBT那么英飞凌IGBT可以用国产IGBT替换吗？当然是可以的，相对来说，英飞凌IGBT应用范围更广，随着以轨道交通为代表的新兴市场和新能源车行业的兴起，将进一步为IGBT模块等功率器件创造很大增长空间。而且充电桩、变流器、逆变流器等配套设施，尤其需要IGBT作为控制单元。在经过贸易战的洗礼后，越来越多的中下游厂商开始尝试接受国产IGBT，这就给了国产IGBT模块更多的试错机会，从而促进了国产IGBT的技术迭代，让国产IGBT进入了一个良性的迭代循环的。新洁能IGBT基于沟槽电场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，进一步了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅了器件的功率密度，显著了动态、静态性能。相比上一代新洁能IGBT，新一代（Trench FS II）新洁能IGBT模块面积更小，芯片厚度更薄；导通压降（VCEsat）约0.3V，开关损耗20%以上；器件可耐工作温度更高，使用寿命更长；且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性；综合性能达到英飞凌IGBT的一般水平。
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