如果快充行业也有年度热词的评选的话，那么“氮化镓”一定榜上很有名。相信绝大多数读者朋友都听过这个“名词”。
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半导体。
#充电器#
氮化镓(GaN) 是一种宽禁带的直接带隙半导体，它有着很宽的直接带隙，很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性。此外，如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，具有较高的稳定性。
氮化镓最早于1928年被人工合成，在后面的70年里通过技术改进，于90年代被广泛应用于发光二极管上，研发之初是用于制造出颜色从红色到紫外线的发光二极管。
后来在应用过程取代半导体上的硅基器件，上面我们有介绍氮化镓(GaN) 的材料特性，可以发现其特性明显比硅基器件更优越。氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长GaN外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而无需使用成本很高的特定生产设施，而且可采用低成本、大直径的硅晶片。
氮化镓充电芯片被推出市场是在2014年，纳微科技成立不久，推出世界上首款氮化镓功率IC的原型demo。而被厂商采纳并应用于充电器材，是在2018年，由国内的ANKER PowerPort Atom PD1充电器率先采用。
氮化镓充电器问世后，以其出色的功率密度和充电性能很快被消费者和厂商青睐，随后，越来越多的厂商开始陆续用氮化镓材料取代基于硅基器材，生产充电器。到如今，氮化镓充电器几乎已经成了高性能充电器的代名词。
氮化镓这种材料主要在充电器原件中作为开关管存在，而氮化镓的开关管由于更高的击穿强度、更快的开关频率、更低的导通电阻、开关损耗以及更高的导热系数使得它能显著减少充电器其他元件设备的体积，并且让开关管的性能更优越。
从充电产品的整体来看，氮化镓的好处包括尺寸、重量和成本的减少，也包括BOM成本（其他系统元件如电容、散热器和电感器的价格）、消耗成本和冷却成本。此外呢，氮化镓替换硅器件可以同时获得更高的效率、更高的功率密度，甚至可能两者兼得。所以氮化镓会成为现在充电器的热门材料！
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半导体。
#充电器#氮化镓(GaN) 是一种宽禁带的直接带隙半导体，它有着很宽的直接带隙，很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性。此外，如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，具有较高的稳定性。
氮化镓最早于1928年被人工合成，在后面的70年里通过技术改进，于90年代被广泛应用于发光二极管上，研发之初是用于制造出颜色从红色到紫外线的发光二极管。
后来在应用过程取代半导体上的硅基器件，上面我们有介绍氮化镓(GaN) 的材料特性，可以发现其特性明显比硅基器件更优越。氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长GaN外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而无需使用成本很高的特定生产设施，而且可采用低成本、大直径的硅晶片。
氮化镓充电芯片被推出市场是在2014年，纳微科技成立不久，推出世界上首款氮化镓功率IC的原型demo。而被厂商采纳并应用于充电器材，是在2018年，由国内的ANKER PowerPort Atom PD1充电器率先采用。
氮化镓充电器问世后，以其出色的功率密度和充电性能很快被消费者和厂商青睐，随后，越来越多的厂商开始陆续用氮化镓材料取代基于硅基器材，生产充电器。到如今，氮化镓充电器几乎已经成了高性能充电器的代名词。
氮化镓这种材料主要在充电器原件中作为开关管存在，而氮化镓的开关管由于更高的击穿强度、更快的开关频率、更低的导通电阻、开关损耗以及更高的导热系数使得它能显著减少充电器其他元件设备的体积，并且让开关管的性能更优越。
从充电产品的整体来看，氮化镓的好处包括尺寸、重量和成本的减少，也包括BOM成本（其他系统元件如电容、散热器和电感器的价格）、消耗成本和冷却成本。此外呢，氮化镓替换硅器件可以同时获得更高的效率、更高的功率密度，甚至可能两者兼得。所以氮化镓会成为现在充电器的热门材料！
