钼靶材的物理性能主要包括以下几点：
高熔点：钼的熔点约为2623°C（或2610°C），这使得钼靶材能够在极端高温环境下保持结构稳定性，是理想的高温工作材料。
热传导率：钼的热传导率较高，约为142.35w/(m·k)，有助于在高速镀膜过程中控制靶材的温度，防止过热和结构损坏。
热膨胀系数：钼的热膨胀系数较低，约为4.9×10^-6 /°C（或4.8×10^-6 /°C），这一特性有助于保持材料在高温下的尺寸稳定性。
电阻率：钼的电阻率相对较低，随着温度的升高，电阻率也会发生变化。例如，在0°C时电阻率为5.17×10^-8 Ω·cm，而在800°C和2400°C时分别为24.6×10^-8 Ω·cm和72×10^-8 Ω·cm。
比热：钼的比热在25°C时为242.8 J/（kg·K），这是衡量材料吸热和放热能力的一个重要参数。
硬度：钼的硬度较大，摩氏硬度为5~5.5，这使得钼靶材在制备过程中能够保持较好的机械性能。
此外，钼靶材的密度约为10.23g/cm³，属于高密度材料，同时它还属于顺磁体，在特定温度下具有特定的比磁化系数。这些物理性能使得钼靶材在半导体、涂层材料等领域具有广泛的应用前景。

钼靶材的物理性质主要包括以下几个方面：
熔点高：钼的熔点约为2623°C，这一特性使其能够在极端高温环境下保持结构稳定性，是理想的高温工作材料。
密度适中：钼的密度为10.23g/cm³，约为钨的一半（钨的密度为19.36g/cm³）。
热膨胀系数低：钼的热膨胀系数相对较低，这意味着在温度变化时，其尺寸变化较小，有助于保持结构的稳定性。
热传导率高：钼具有较高的热传导率，能够快速地将热量从一处传递到另一处，有助于散热和保持设备的稳定运行。
电阻率较低：钼的电阻率在不同温度下有所不同，但整体来说相对较低，这使得钼靶材在电子器件和电路中有较好的导电性能。
无磁性：钼属于顺磁体，无磁性，这使得它在一些对磁性有要求的场合下具有应用优势。
此外，钼靶材还具有高纯度、高密度、良好的机械性能和化学稳定性等物理性质。这些性质使得钼靶材在多个领域都有广泛的应用，如合金领域、电子领域、医疗领域等。同时，钼靶材的制备过程也较为复杂，需要经过多个步骤以确保其材质的高纯度、高密度和良好的物理性质。

钼靶材的物理性能主要包括以下几点：
高熔点：钼的熔点约为2623°C（或2610°C），这使得钼靶材能够在极端高温环境下保持结构稳定性，是理想的高温工作材料。
热传导率：钼的热传导率较高，约为142.35w/(m·k)，有助于在高速镀膜过程中控制靶材的温度，防止过热和结构损坏。
热膨胀系数：钼的热膨胀系数较低，约为4.9×10^-6 /°C（或4.8×10^-6 /°C），这一特性有助于保持材料在高温下的尺寸稳定性。
电阻率：钼的电阻率相对较低，随着温度的升高，电阻率也会发生变化。例如，在0°C时电阻率为5.17×10^-8 Ω·cm，而在800°C和2400°C时分别为24.6×10^-8 Ω·cm和72×10^-8 Ω·cm。
比热：钼的比热在25°C时为242.8 J/（kg·K），这是衡量材料吸热和放热能力的一个重要参数。
硬度：钼的硬度较大，摩氏硬度为5~5.5，这使得钼靶材在制备过程中能够保持较好的机械性能。
此外，钼靶材的密度约为10.23g/cm³，属于高密度材料，同时它还属于顺磁体，在特定温度下具有特定的比磁化系数。这些物理性能使得钼靶材在半导体、涂层材料等领域具有广泛的应用前景。