描述
EG8025是一款采用电流模式、中心对齐PWM调制方式和内置两路600V半桥高压MOS驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。
该芯片采用CMOS工艺,内部的主要模块为SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART串口通讯模块等功能。
该芯片采用LQFP80和QFN70两种封装,只需少量的外围器件,即可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%和高精度输出电压的特性,能满足逆变器行业的波形要求。
集成了两路600V半桥高压MOS驱动器,驱动器的输出电流能力为+/-2A,内置四路独立的逐周PWM关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏M0S的情况。另外提供了两路SD,分别为SD1,和SD2,SD1是驱动器1HO1和L01的逐周关断引脚,SD2是驱动器2H02和L02的逐周关断引脚,结合MCU和SD功能可实现逆变器的短路保护功能。




































EG8025是一款采用电流模式、中心对齐PWM调制方式和内置两路600V半桥高压MOS驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。
该芯片采用CMOS工艺,内部的主要模块为SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART串口通讯模块等功能。
该芯片采用LQFP80和QFN70两种封装,只需少量的外围器件,即可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%和高精度输出电压的特性,能满足逆变器行业的波形要求。
集成了两路600V半桥高压MOS驱动器,驱动器的输出电流能力为+/-2A,内置四路独立的逐周PWM关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏M0S的情况。另外提供了两路SD,分别为SD1,和SD2,SD1是驱动器1HO1和L01的逐周关断引脚,SD2是驱动器2H02和L02的逐周关断引脚,结合MCU和SD功能可实现逆变器的短路保护功能。



































