电子技术研究所批量生产TNG-K系列GAN晶体管沃罗涅日电子技术研究所宣布开始接受商业生产的TNG-K系列功率晶体管的订单，这些晶体管基于金属陶瓷和塑料外壳中的氮化镓。氮化镓技术是世界上功率和微波电子学中最有前途和发展最快的领域之一。其原因在于氮化镓的财产，在一些关键参数上，如带隙宽度、临界场强和电子饱和漂移率，远远超过了半导体工业传统的硅。正因为如此，GaN晶体管可以在比硅晶体管更高的温度、更高的频率下工作，具有更高的功率密度和能量效率。NIIET已经发展了10多年，并在2021年2月宣布了新的GAN晶体管TNG-K系列的测试样品的可用性，这些晶体管设计用于在消费电子、电动汽车、电子设备和电子设备的充电器中用作钥匙。替代能源转换器和不同用途设备的电源方案。该系列包括五种类型的仪器（TNG-K 10030，TNG-K 20040，TNG-K 20020，TNG-K 45020，TNG-K 45030）在金属陶瓷外壳KT-94。该系列在俄罗斯ECB制造市场上独一无二的优势之一是，这些晶体管通常是封闭的。这简化了快门驱动程序的电路设计，因为这种类型的设备不需要在快门上进行负偏移才能将晶体管转换为封闭状态。由于氮化镓晶体管在更高的开关频率下工作，允许在开关电源设计中使用较小容量的电容器，因此更简单的控制方案可以显著减少设备的尺寸，同时保持其能量参数。这也有助于提高GAN晶体管的效率，在TNG-K系列的情况下，效率高达97-98%。TNG-K晶体管曾多次在俄罗斯最大的电子和无线电电子展览会上展出，吸引了参观者的极大兴趣。去年4月，该系列的样品-已经在塑料外壳中-得到了行业专家的正式认可：它们为JSC“NIIET”带来了“电力电子”类别的电子-2022竞赛的第一名。现在TNG-K系列晶体管可供订购。该公司已经开始批量生产这些仪器，包括金属陶瓷和塑料外壳，在过去的一段时间里，NIET的专家成功地将仪器的漏源击穿电压提高到900 V，而这一系列的参数最初仅限于450 V。“氮化镓技术在制造电力电子设备方面的效率有多高，我们已经用我们的充电器证明了：95瓦的功率可以达到汽车点烟器常规充电的尺寸，”弗拉基米尔·马列夫说。“TNG-K系列晶体管的应用范围非常广泛。现在，电力设备制造商不仅可以在测试样品上评估其优势，还可以在其系列产品中充分应用这些设备。”