C3M0016120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管，TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
Vgs（最大值）：+15V，-4V
功率耗散（最大值）：556W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达供应，回收C3M0016120D（碳化硅MOSFET晶体管）C2M0280120D
C2M0280120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管，TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3