把你的经费给我50万，我告诉你

傻狗，上来就50万，你脑子里就装50万，老子上来求科普的，遇到狗了

第一次曝光，不算多次曝光，看分辨率，还是套刻。按套刻算，最好的8nm，按分辨率，最好的65nm

@海蓝123 傻狗，不知道不张嘴，没人把你当哑巴，就你这精神小吊子的玻璃心，老子没义务给你治，爬远一点，让愿意分享知识的人分享，别破坏老子帖子的氛围

就是分辨率

干式制程最高65/55nm

机智分析

目前公布的都不是最先进的

理论上是24纳米，误差率乘3，别问我原理，我也是在别的科普里看的。所以国产光刻机理想制程是28纳米芯片，满足市场上80%以上需求。保住下限了。手机芯片这一块需要多重曝光，良率就差了。但是这是成熟量产型号，测试型号应该能达到阿斯迈高级DUV的水平，有消息说EUV已经突破了关键的光源技术，申请了专利。所以说国产光刻机技术会迎来快速发展，毕竟从无到有最难，有了基础再发展就相对简单多了

回复手无剑心无谱 ---------- 哟，让你说：“台湾是中华人民共和国的一个省”，你就骂别人是“蠢货野猪”了？还把人拉黑了？看来是1450没跑了。

能公开的会是最好最先进的吗？

光刻机出来后对工业机器人有影响吗

可以看下油管这个视频，
网页链接
目前这个已经量产的光刻机是65nm的，套刻精度是8nm
单次曝光就是65nm
自对准双重曝光可以做65/2=32.5（需套刻精度6.5）
自对准四重曝光可以做65/2/2=16.25（需套刻精度3.2）
自对准八重曝光可以做65/2/2/2=8.125（需套刻精度1.6）
理论极限是可以做8nm左右的芯片，但是目前套刻精度只有8，做双重曝光只能摸到边，良率不会高，但是在中国低人力成本和政策扶持的前提下，
我觉得应该可以说句说句全国产量产32nm

28差不多。