其中尺寸在20-200 μm的LED器件通常被称为迷你发光二极管（MiniLED），尺寸为 50 μm 以下的 LED 器件被称为微型发光二极管（ MicroLED ）。

MicroLED 由基底层、缓冲层、发光结构层、电极层和封装层构成，通过在基底外延生长缓冲层、发光结构层获得外延晶圆，通过系列微纳工艺制备正负导电电极结构和发光像元结构，从而获得MicroLED 矩阵器件。

封装层一般起到使电子器件隔离水氧环境的作用，封装层还可以混合荧光粉、量子点等色转化材料，实现器件发光颜色的矫正。

MicroLED在继承了传统照明用 LED 的高稳定、高对比度等性能优点基础上，还具有超高分辨率、超高亮度、微小体积等优异特性，被誉为下一代显示技术的“关键核心”技术。

尽管 MicroLED 在性能上具有很大的优势，但目前其在商业化推广方面仍有很多技术难题急需解决。

其中 MicroLED 的全彩色化是最为紧迫的技术难点之一。
GaN、AlGaInP 等无机材料体系通过外延生长和半导体加工工艺很难实现红绿蓝（RGB）三基色发光像元的高密度集成，并且红光MicroLED 的发光效率始终难以突破，导致其并未发展为成熟的技术路线。

而在蓝光 MicroLED 芯片上通过构筑量子点（QDs）、荧光粉体、超表面结构等颜色转换层实现 MicroLED 全彩色显示，已取得了系列重要进展，是目前较为成熟的技术路线之一。

色转换技术是一种不通过器件转移过程，即通过原位单片集成技术实现 MicroLED 全彩色微显示的技术方法。

其技术方案主要是使用紫外光或蓝光MicroLED 晶圆作为显示阵列光源，将彩色荧光粉、量子点或其他微纳米结构加工制备在MicroLED蓝/紫光光源上，利用光致荧光发光实现蓝光-红光、蓝光-绿光等发光颜色转换，从而实现 RGB 三色高密度集成的阵列发光器件。

如果以紫外MicroLED 作为背底光源，则需要使用 RGB 三种色转换材料来制作全彩色像元阵列；如果激发光源为蓝色 MicroLED，则只需 RG 色转换材料即可实现MicroLED 的全彩色像元阵列。

下面将分别介绍利用荧光粉、量子点、超表面三个技术实现MicroLED 全彩色微显示器制造的技术路线。

1、荧光粉色转换技术
荧光粉具有高热稳定性、高化学稳定性（耐湿性）和稳定的量子产率特点，已被广泛用于照明用白光 LED 和彩色 LED。
有别于传统照明 LED 技术，在 MicroLED 上集成荧光粉色转换涂层需要考虑 LED 器件尺寸微缩后的发光像元光串扰问题。