一、填空题（每空 2.5 分，共 25 分）
1、N 型半导体中多数载流子是 ，P 型半导体中多子是 。
2、电流负反馈稳定的输出量是__________，会使输出电阻__________。
3、放大器的线性失真有 、 。
4、理想运放的分析依据有 、 。
5、差动放大器主要是利用电路结构的 特性来减少零点漂移的。
6、稳压二极管是利用 PN 结的 特性进行稳压的。
二、单项选择题（每小题 2 分，共 20 分）
1、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A．杂质浓度 B．温度 C．输入 D．电压
2、两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
A．β B．β
2 C．2β D．1+β
3、放大器对不同频率分量呈现的增益不相等造成的失真叫 。
A．饱和失真 B．截止失真 C．幅频失真 D．相频失真
4、工作于放大区的三极管，当 IB从 20μA 增加到 40μA 时，IC 从 1mA 变成 2mA，则它
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的 β 约为 。
A．50 B．100 C．200 D．20
5、阻抗变换电路，要求 ri大，ro小，应选用 负反馈电路。
A．并联电压 B．并联电流 C．串联电压 D．串联电流
6、一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电
压 UCE=10V，则工作电流 IC 不得超过 mA。
A．15 B．100 C．30 D．150
7、续 6 小题，若工作电压 UCE=1V，则工作电流 Ic不得超过 mA。
A．15 B．150 C．30 D．100
8、已知三极管共基电流放大系数 α 等于 0.98，当发射极电流为 2mA 时，则基极电流
是 ，共发射极电流放大系数 β 是 。
A．40μA，49 B．1.96mA，49 C．40μA，0.98 D．无法确定
9、三极管三端对地电位分别为：6.5V，14.3V，15V，则该管为 。
A．硅 NPN B．锗 NPN C．硅 PNP D．锗 PNP
10、集成运算放大电路非线性应用时输出有 个状态。
A．两 B．一 C．多 D．三
三、多项选择题（每小题 2.5 分，共 15 分）
1、物质按导电性能可分为 。
A．导体 B．绝缘体 C．半导体 D．晶体
2、分析放大器直流通路分析时常将 。
A．电容短路 B．电容开路 C．电感短路 D．电感开路
3、负反馈对放大器影响说法正确的有 。
A．放大倍数下降 B．稳定性提高 C．展宽通频带 D．减少非线性失真
4、影响放大器低频频率特性的因素主要有 。
A．偏置电阻 B．旁路电容 C．耦合电容 D．极间电容
5、场效应管的工作区域可分为 。
A．放大区 B．恒流区 C．可变电阻区 D．截止区
6、理想运放的指标理想化的结果有 。
A．输入电阻无穷大 B．输出电阻无穷小
C．开环电压放大倍数无穷大 D．共模抑制比无穷大
四、计算题（每小题 10 分，共 40 分）
1、图 1 电路中，各外接元件值及管子参数均已知。
（1）估算放大器的静态工作点 ICQ，UCEQ；
（2）求电压放大倍数 Au=Uo/Ui ；输入电阻 ri。
2、理想运算放大器如图 2 所示：
（1）指出各级电路为何种基本运算电路；
（2）写出 Uo1、Uo2、Uo3与 Ui1、Ui2、Ui3的关系式。
3、已知：集成运算放大电路如图 3 所示。已知 U1=1V，U2=2V，
（1）指出各级运放为何种基本运算电路；
（2）计算 Uo1、Uo。
4、用集成运放设计满足关系式 uo= ‒（10ui1+4ui2）的电路，要求最大电阻为 10kΩ。
1、N 型半导体中多数载流子是 ，P 型半导体中多子是 。
2、电流负反馈稳定的输出量是__________，会使输出电阻__________。
3、放大器的线性失真有 、 。
4、理想运放的分析依据有 、 。
5、差动放大器主要是利用电路结构的 特性来减少零点漂移的。
6、稳压二极管是利用 PN 结的 特性进行稳压的。
二、单项选择题（每小题 2 分，共 20 分）
1、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A．杂质浓度 B．温度 C．输入 D．电压
2、两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
A．β B．β
2 C．2β D．1+β
3、放大器对不同频率分量呈现的增益不相等造成的失真叫 。
A．饱和失真 B．截止失真 C．幅频失真 D．相频失真
4、工作于放大区的三极管，当 IB从 20μA 增加到 40μA 时，IC 从 1mA 变成 2mA，则它
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的 β 约为 。
A．50 B．100 C．200 D．20
5、阻抗变换电路，要求 ri大，ro小，应选用 负反馈电路。
A．并联电压 B．并联电流 C．串联电压 D．串联电流
6、一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电
压 UCE=10V，则工作电流 IC 不得超过 mA。
A．15 B．100 C．30 D．150
7、续 6 小题，若工作电压 UCE=1V，则工作电流 Ic不得超过 mA。
A．15 B．150 C．30 D．100
8、已知三极管共基电流放大系数 α 等于 0.98，当发射极电流为 2mA 时，则基极电流
是 ，共发射极电流放大系数 β 是 。
A．40μA，49 B．1.96mA，49 C．40μA，0.98 D．无法确定
9、三极管三端对地电位分别为：6.5V，14.3V，15V，则该管为 。
A．硅 NPN B．锗 NPN C．硅 PNP D．锗 PNP
10、集成运算放大电路非线性应用时输出有 个状态。
A．两 B．一 C．多 D．三
三、多项选择题（每小题 2.5 分，共 15 分）
1、物质按导电性能可分为 。
A．导体 B．绝缘体 C．半导体 D．晶体
2、分析放大器直流通路分析时常将 。
A．电容短路 B．电容开路 C．电感短路 D．电感开路
3、负反馈对放大器影响说法正确的有 。
A．放大倍数下降 B．稳定性提高 C．展宽通频带 D．减少非线性失真
4、影响放大器低频频率特性的因素主要有 。
A．偏置电阻 B．旁路电容 C．耦合电容 D．极间电容
5、场效应管的工作区域可分为 。
A．放大区 B．恒流区 C．可变电阻区 D．截止区
6、理想运放的指标理想化的结果有 。
A．输入电阻无穷大 B．输出电阻无穷小
C．开环电压放大倍数无穷大 D．共模抑制比无穷大
四、计算题（每小题 10 分，共 40 分）
1、图 1 电路中，各外接元件值及管子参数均已知。
（1）估算放大器的静态工作点 ICQ，UCEQ；
（2）求电压放大倍数 Au=Uo/Ui ；输入电阻 ri。
2、理想运算放大器如图 2 所示：
（1）指出各级电路为何种基本运算电路；
（2）写出 Uo1、Uo2、Uo3与 Ui1、Ui2、Ui3的关系式。
3、已知：集成运算放大电路如图 3 所示。已知 U1=1V，U2=2V，
（1）指出各级运放为何种基本运算电路；
（2）计算 Uo1、Uo。
4、用集成运放设计满足关系式 uo= ‒（10ui1+4ui2）的电路，要求最大电阻为 10kΩ。
