电路如图所示
我的疑问主要在于两组RAM的片选逻辑电路上，首先，74LS138 Decoder 的 Y1 必然是在 A15~A11 均满足两组 RAM 的片选逻辑的 情况下，才会输出低电平，我们考虑 A15~A11 已经满足这一条件的情况。
Y1 此时会输出低电平，但它经过了两次反转，到达与门后仍是低电平，而如果此时 A10 输出低电平，那么它满足了第1组 RAM 的片选逻辑，而 A10 信号抵达与门后，经过一次反转变成了高电平，然后与门输出低电平被反转成高电平，就激活了这里的第1组RAM。
但是，如果 A10 输出高电平，满足了第 2 组 RAM 的片选条件，其信号到达与门后，会变成低电平，但与门输出的仍是低电平，仍被反转成高电平，激活的仍是第1组RAM。
我想知道是因为参考答案的编写者存在失误，还是我的理解出现了偏差
我的疑问主要在于两组RAM的片选逻辑电路上，首先，74LS138 Decoder 的 Y1 必然是在 A15~A11 均满足两组 RAM 的片选逻辑的 情况下，才会输出低电平，我们考虑 A15~A11 已经满足这一条件的情况。
Y1 此时会输出低电平，但它经过了两次反转，到达与门后仍是低电平，而如果此时 A10 输出低电平，那么它满足了第1组 RAM 的片选逻辑，而 A10 信号抵达与门后，经过一次反转变成了高电平，然后与门输出低电平被反转成高电平，就激活了这里的第1组RAM。
但是，如果 A10 输出高电平，满足了第 2 组 RAM 的片选条件，其信号到达与门后，会变成低电平，但与门输出的仍是低电平，仍被反转成高电平，激活的仍是第1组RAM。
我想知道是因为参考答案的编写者存在失误，还是我的理解出现了偏差
