型号:ZXMN3F30FHTA-VB
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V
- 门极-源极阈值电压范围(Vth):1.2V - 2.2V
- 门极驱动电压范围:±20V
- 封装类型:SOT23
应用简介:
ZXMN3F30FHTA-VB是一款N沟道MOSFET,具有适中的额定电压和电流特性,适用于多种电子应用。以下是一些可能应用领域和模块,其中这种MOSFET可能被广泛使用:
1. **电源开关**:这款MOSFET可用于各种电源开关应用,如开关电源和稳压器。它能够有效地控制电流流通,实现能源转换和电压调整。
2. **LED驱动**:在LED照明应用中,ZXMN3F30FHTA-VB可用作LED驱动电路的一部分,以实现高效的LED控制和亮度调节。
3. **移动设备**:这种MOSFET可用于移动设备,如智能手机和平板电脑中的电池管理和电源开关电路,以延长电池寿命并提高设备效率。
4. **电池保护**:在电池管理系统中,这款MOSFET可以用于电池保护电路,以防止过放电和过充电,保护电池的性能和寿命。
5. **无线通信设备**:ZXMN3F30FHTA-VB还可用于无线通信设备中的功率放大器和射频开关,以控制信号传输和数据处理。
总的来说,ZXMN3F30FHTA-VB是一款多用途的N沟道MOSFET,适用于多种领域,包括电源管理、LED照明、移动设备、电池保护和通信设备。它具有适中的性能参数,适合广泛的应用需求。
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V
- 门极-源极阈值电压范围(Vth):1.2V - 2.2V
- 门极驱动电压范围:±20V
- 封装类型:SOT23
应用简介:
ZXMN3F30FHTA-VB是一款N沟道MOSFET,具有适中的额定电压和电流特性,适用于多种电子应用。以下是一些可能应用领域和模块,其中这种MOSFET可能被广泛使用:
1. **电源开关**:这款MOSFET可用于各种电源开关应用,如开关电源和稳压器。它能够有效地控制电流流通,实现能源转换和电压调整。
2. **LED驱动**:在LED照明应用中,ZXMN3F30FHTA-VB可用作LED驱动电路的一部分,以实现高效的LED控制和亮度调节。
3. **移动设备**:这种MOSFET可用于移动设备,如智能手机和平板电脑中的电池管理和电源开关电路,以延长电池寿命并提高设备效率。
4. **电池保护**:在电池管理系统中,这款MOSFET可以用于电池保护电路,以防止过放电和过充电,保护电池的性能和寿命。
5. **无线通信设备**:ZXMN3F30FHTA-VB还可用于无线通信设备中的功率放大器和射频开关,以控制信号传输和数据处理。
总的来说,ZXMN3F30FHTA-VB是一款多用途的N沟道MOSFET,适用于多种领域,包括电源管理、LED照明、移动设备、电池保护和通信设备。它具有适中的性能参数,适合广泛的应用需求。