IAUCN04S7N024D:汽车 MOSFET 晶体管 - 40V,OptiMOS™7 功率晶体管,PG-TDSON-8
型号:IAUCN04S7N024D
封装:PG-TDSON-8
类型:汽车 MOSFET 晶体管
IAUCN04S7N024D - 产品规格:
40V OptiMOS™ 7 功率MOSFET
N 沟道 MOSFET
增强模式 - 正常电平
超出 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
稳健的设计
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度)
100% 通过雪崩测试
星际金华,明佳达供应,回收IAUCN04S7N024D(汽车 MOSFET 晶体管),R5F523E5NGFN(RX23E-B系列MCU)。
R5F523E5NGFN:RX23E-B系列 - 32位微控制器MCU,LFQFP-80
系列:RX23E-B
核心处理器:RXv2
内核规格:32-位
速度:32MHz
I/O 数:43
程序存储容量:128KB(128K x8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:8K x 8
RAM 大小:16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 8x12b SAR,8x24b 三角积分;D/A 1x16b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)/ -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:80-LFQFP(12x12)
型号:IAUCN04S7N024D
封装:PG-TDSON-8
类型:汽车 MOSFET 晶体管
IAUCN04S7N024D - 产品规格:
40V OptiMOS™ 7 功率MOSFET
N 沟道 MOSFET
增强模式 - 正常电平
超出 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
稳健的设计
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度)
100% 通过雪崩测试
星际金华,明佳达供应,回收IAUCN04S7N024D(汽车 MOSFET 晶体管),R5F523E5NGFN(RX23E-B系列MCU)。
R5F523E5NGFN:RX23E-B系列 - 32位微控制器MCU,LFQFP-80
系列:RX23E-B
核心处理器:RXv2
内核规格:32-位
速度:32MHz
I/O 数:43
程序存储容量:128KB(128K x8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:8K x 8
RAM 大小:16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 8x12b SAR,8x24b 三角积分;D/A 1x16b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)/ -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:80-LFQFP(12x12)