赵永蓬教授（左二）领奖

尊敬的蒋碧辉代表：
　　《关于泉州引进EUV光源技术项目的几点建议》（第1029号）收悉。该建议由我管委会会同泉州市财政局办理。现将有关办理情况汇总答复如下：
　　一、我市半导体产业发展及EUV光源技术的基本情况
　　2016年，为推动全市产业转型升级、经济跨越发展，泉州市委、市政府及时作出决策部署，瞄准半导体产业赛道谋求创变突围，提出“举全市之力、借全国之势、聚全球之智”大力发展半导体产业。截至目前，全市已累计引进半导体产业重点项目88个，总投资规模1527亿元，初步形成“以集成电路、化合物半导体为支柱”、“以晋华、三安、渠梁为龙头”、“集成电路、光芯片、射频芯片、高端光电芯片、特种材料五大产业链条”的“235”发展格局。2021年9月，泉州半导体产业集群列入福建省首批战略性新兴产业集群名单。2023年全市实现半导体产业产值285亿元，近三年年均增长率为36.1%，未来有望继续保持高速增长态势。
　　随着半导体先进制程的不断发展，EUV光源技术已成为影响芯片制造成本和质量的关键技术之一。据了解，目前国内在研的EUV光源技术以哈尔滨工业大学的放电等离子体极紫外光源（DPP）以及中国科学院上海光机所的激光等离子体极紫外光源（LPP）为主，并实现一定程度上的突破，可用于光刻机元件及整机，掩膜质量、晶圆质量等生产环节的检测。我市半导体产业起步较晚，相关人才储备相对不足，相关专业高等院校和科研机构较为缺乏，因此尚未能引进落地此类优质项目。
　　二、积极开展EUV光源技术项目招商引资工作
　　管委会充分发挥晋华、三安、渠梁等产业链主企业引领带动作用，瞄准设备制造、零部件配套、精密仪器等关键技术领域开展招商活动，推动产业链上下游集聚发展。一是锚定关键技术。将发布并组织实施《泉州市光子技术产业发展规划（2023-2027）》，打造以先进微纳光子技术、超精密光学工程技术为特色的高新技术产业集群，《规划》已把先进成像光学技术纳入重点发展方向，抢抓光刻技术发展机遇。二是聚力产业链招商。以实施“链长制”为重要抓手，聚焦产业强链补链延链，瞄准晋华、渠梁国产化替代关键环节，建立健全龙头企业联合招商机制，绘制完善产业链招商图谱，精准招引泰研先进封装设备、良颐科技半导体传送设备等先进制程关键零部件，有效补齐产业配套环节。三是开展“点对点”招商。基于您的建议，今年4月份，管委会主任洪武强带队赴哈尔滨工业大学开展“点对点”招商活动，专门对接赵永蓬教授及其科研团队，围绕放电等离子体极紫外光源（DPP）项目开展深入交流，构建团队及技术引进的靶向对接渠道。
　　三、积极构建EUV光源技术发展的产业生态
　　EUV光源等半导体关键技术属于技术、人才、资金密集型产业，引进发展该产业对所在地软硬件环境有较高的要求，管委会及有关市直单位推出一系列务实举措，不断优化完善我市半导体产业生态。一是加强政策支持。市财政局会同相关部门，制定出台《泉州市关于支持扩大有效投资促进产业发展提质增效的实施意见》及企业技术创新基金实施方案、中小微企业融资增信基金实施方等相关配套政策，构建“1+N”“财政政策+金融工具”政策体系，鼓励和带动社会资本参与半导体领域投资，全面推进半导体企业提升行业竞争力。二是提供金融保障。管委会会同市财政局、金控集团等有关单位，共同推动泉州市半导体产业投资基金设立（总规模30亿元，首期10亿元）。同时，签约落地元禾厚望、国科嘉和等行业头部基金，全面优化半导体产业金融生态，助力半导体产业链相关技术的落地转化。三是建设科研平台。贯彻落实省、市两级工作部署，管委会会同市科技局、泉州发展集团、丰泽区政府等有关单位筹建福建省光子协同创新研究院，助力我市光子产业高质量发展，也将为我市吸纳EUV光源科研团队及技术转化提供有力支撑。四是升级引才政策。聚焦人才“招引用留”难题，管委会牵头制定《泉州市支持半导体产业人才引进若干措施》（泉政办规〔2023〕16号），在购房补贴、大学毕业生一次性生活补助等方面进一步提高标准，为半导体高端人才引进提供“真金白银”的政策支持。
　　下一步，管委会将会同有关单位，积极对接哈尔滨工业大学、中国科学院上海光机所等国内具备EUV光源技术研发能力的相关高校院所，力争引进EUV光源技术的领军人物和专家团队，导入相关的EUV光源技术。同时，持续对接国家开发银行、中国进出口银行等政策性银行资源，深化与优质半导体投资机构的合作，为引进EUV光源等半导体产业链相关技术做好要素保障。
　　衷心感谢您对我市半导体产业发展的关心和支持！
　　泉州半导体高新技术产业园区管理委员会
　　2024年5月21

哈工大的激光，与ASML的应该是同一个类型的。
是15年前，哈工大在研制中国的大国重器~神光3激光武器时候，发明了激光核聚变控制系统，同时发明了这个EUV光源技术。
荷兰ASML第一台EUV光刻机只有25瓦，哈工大的第一个EUV极紫外光源是40瓦，已经够用了，哈工大第二代光源是150瓦。
下图就是当年哈工大激光核聚变技术。用于能够摧毁太空卫星的中国大国重器~神光3。

哈工大两个关键技术:
一，EUV极紫外光源。
二，高速超精密技术。
对中国光刻机的研制，起到了关键的作用。

EUV分DPP和LLP，ASML是LLP，优点功率能做大，缺点能耗巨大。根据之前公布的消息，哈工大是DPP，虽然能耗低，但功率做不大，目前最大只到43W，压根没法用于芯片光刻。200W是芯片光刻入门功率。

著名的大国重器:
神光3的核心控制系统。
正是哈尔滨工业大学研制成功的。

四川绵阳科学城里面。
某个秘密的大国重器，它用的技术就是哈工大当年研制的。
哈工大用这个技术里面的靶场控制系统。
做出了中国第一台EUV极紫外光刻机的光源。
技术原理上，比荷兰ASML的极紫外光刻机的美国光源产生发生更加先进!

当年著名的大国重器:
神光3激光武器的激光核聚变控制系统 。
全中国只有2个单位有能力研制。
分别是哈尔滨工业大学，中国科学院上海光机所。
而中科院上海光机所的所长，是哈工大毕业的校友。
最后还是哈工大中标成功。

EUV极紫外光源。
用到的就是哈工大的这个激光核聚变控制技术。
1997年哈尔滨工业大学在研制大国重器神光3激光武器中。
发明了神光3的靶场技术!
目前全球只有中国，美国掌握了这个技术。
而荷兰ASML用的是美国当年研制激光武器的技术。

哈工大采用的技术。 比荷兰ASML的EUV光刻机的美国技术更加先进! 用的是激光核聚变控制技术的靶场控制方式。 去精确地轰击5万粒/秒的0.1微米的高速锡珠，产生人工的EUV极紫外光源。 是个工程技术上的奇迹!