明佳达，星际金华供应 TLE8444SL半桥驱动器，IGBT晶体管IKA15N60T，存储器W29N02KVSIAF
TLE8444SL 四路半桥驱动器 IC
产品描述
TLE8444SL 是一款受保护的四半桥 IC，主要面向汽车和工业运动控制应用。TLE8444SL 是基于智能混合技术 SPT 的单片芯片，结合了双极和 CMOS 控制电路以及 DMOS 功率器件。直流电机可在正向（ccw）、反向（ccw）、制动和高阻抗模式下驱动，而步进电机可在无电流、负/正输出电流模式下驱动。这些不同的模式可以通过设备与微控制器的标准并行接口轻松实现。
功能特点
4 个半桥功率输出（1.3Ω RDS(ON)MAX @ Tj=150°C）
0.9A 时最小过流关断
半桥输出的简单并行接口控制
反相和非反相输入，最大限度地减少微控制器连接数量
睡眠模式下电流消耗极低（最大 5µA）
错误标志诊断
所有输出在 ON 状态下均可进行开路负载诊断
输出过流保护
带滞后的过温保护
过压和欠压锁定
带滞后的 3.3V / 5V 兼容输入
无交叉电流
内部续流二极管
热增强型封装（熔断引线）
应用
单极或双极负载
步进电机（如怠速控制）
直流有刷电机
IKA15N60T 600V 15A IGBT 晶体管
产品描述
IKA15N60T 硬开关 600 V、15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 分立器件与全额定外部续流二极管共同封装在 TO-220 全封装中，由于结合了沟槽单元和场截止概念，该器件的静态和动态性能均有显著提高。IGBT 与软恢复发射极受控二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷，因此达到了最高效率。
特点
极低的 VCEsat 1.5 V（典型值）
开关损耗低
由于 VCEsat 具有正温度系数，因此可轻松实现并联开关功能
非常柔和、快速恢复的反并联发射极受控二极管
坚固耐用、温度稳定
低 EMI 辐射
栅极电荷低
非常严格的参数分布
优势
最高效率 - 低传导和开关损耗
全面的 600V 产品组合，设计灵活
器件可靠性高
应用
光伏
住宅空调： 智能（物联网）高效制冷
W29N02KVSIAF 2Gbit 并行 NAND 闪存
产品描述
W29N02KVSIAF（2G位）NAND闪存为空间、引脚和电源受限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合代码映射到RAM、固态应用程序和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，工作电流低至25mA（3V），CMOS待机电流为10uA。
规格
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NAND（SLC）
存储容量：2Gb
存储器组织：256M x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：25ns
访问时间：25 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP
基本产品编号：W29N02
TLE8444SL 四路半桥驱动器 IC
产品描述
TLE8444SL 是一款受保护的四半桥 IC，主要面向汽车和工业运动控制应用。TLE8444SL 是基于智能混合技术 SPT 的单片芯片，结合了双极和 CMOS 控制电路以及 DMOS 功率器件。直流电机可在正向（ccw）、反向（ccw）、制动和高阻抗模式下驱动，而步进电机可在无电流、负/正输出电流模式下驱动。这些不同的模式可以通过设备与微控制器的标准并行接口轻松实现。
功能特点
4 个半桥功率输出（1.3Ω RDS(ON)MAX @ Tj=150°C）
0.9A 时最小过流关断
半桥输出的简单并行接口控制
反相和非反相输入，最大限度地减少微控制器连接数量
睡眠模式下电流消耗极低（最大 5µA）
错误标志诊断
所有输出在 ON 状态下均可进行开路负载诊断
输出过流保护
带滞后的过温保护
过压和欠压锁定
带滞后的 3.3V / 5V 兼容输入
无交叉电流
内部续流二极管
热增强型封装（熔断引线）
应用
单极或双极负载
步进电机（如怠速控制）
直流有刷电机
IKA15N60T 600V 15A IGBT 晶体管
产品描述
IKA15N60T 硬开关 600 V、15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 分立器件与全额定外部续流二极管共同封装在 TO-220 全封装中，由于结合了沟槽单元和场截止概念，该器件的静态和动态性能均有显著提高。IGBT 与软恢复发射极受控二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷，因此达到了最高效率。
特点
极低的 VCEsat 1.5 V（典型值）
开关损耗低
由于 VCEsat 具有正温度系数，因此可轻松实现并联开关功能
非常柔和、快速恢复的反并联发射极受控二极管
坚固耐用、温度稳定
低 EMI 辐射
栅极电荷低
非常严格的参数分布
优势
最高效率 - 低传导和开关损耗
全面的 600V 产品组合，设计灵活
器件可靠性高
应用
光伏
住宅空调： 智能（物联网）高效制冷
W29N02KVSIAF 2Gbit 并行 NAND 闪存
产品描述
W29N02KVSIAF（2G位）NAND闪存为空间、引脚和电源受限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合代码映射到RAM、固态应用程序和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，工作电流低至25mA（3V），CMOS待机电流为10uA。
规格
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NAND（SLC）
存储容量：2Gb
存储器组织：256M x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：25ns
访问时间：25 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP
基本产品编号：W29N02
