1、前言
近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的 CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此， 为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。
在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。
2、市场需求和罗姆的举措
近年来，随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长，对于各类应用中配备的电源系统，要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此，要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言，就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时，功率半导体的应用范围也在不断扩大，需求量也与日俱增。
多年来，罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力，其中包括于全球首家*实现了 SiC（碳化硅） MOSFET 的量产。另外，预计相关产品的市场需求会进一步扩大，罗姆也在不断开拓新的产品领域，比如将作为下一代半导体与 SiC 同样备受关注的 GaN（氮化镓）产品投入量产。下图 1 中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量（纵轴）和工作频率（横轴）范围。长期以来一直被用作半导体材料的 Si（硅），其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。 另外，新一代半导体 SiC 元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域；而 GaN 器件 “EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”， 并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。
*截至 2025 年 1 月 罗姆调查数据
图 1：Power Eco Family 产品群在不同功率容量×工作频率范围的分布图
・“EcoSiC™”、“EcoGaN™”、“EcoIGBT™”及“EcoMOS™”是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
3、组成“Power Eco Family”的四大品牌
3-1、关于 EcoSiC™
EcoSiC™是采用了因性能优于 Si 而在功率元器件领域备受关注的 SiC 的元器件品牌。
罗姆自 2010 年在全球率先实现 SiC MOSFET 的量产以来，已经自主开发了从 SiC 晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等 SiC 元器件所需的各种技术。另外，罗姆还提供各种形式的 SiC 元器件，其中包括 SiC 裸芯片、SiC SBD 和 SiC MOSFET 等分立器件以及 SiC 模 块。不仅如此，为满足 SiC 市场不断扩大的需求，罗姆于 2023 年开始生产 8 英寸衬底，并计划从 2025 年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中，一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室，实现了快速 有效的投资，还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力，不断增强满足快速增长的 SiC 市场需求的能力。
在车载设备领域，xEV 牵引逆变器对 SiC 的需求增长最快，SiC 产品在其中的应用加速。例如，2024 年 8 月，吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外， 罗姆还专注于模块开发，推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型 SiC 模块 TRCDRIVE pack™。 TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度，有助于逆变器的小型轻量化，法雷奥的下一代逆变器已经计划采用（图 2）。综上所述，罗姆的 EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势，而获得了客户高度好评，并已斩获全球 130 多家公司的 Design Win（赢得设计）。
图 2：实现了业界超高功率密度的 TRCDRIVE pack™
・“TRCDRIVE pack™”是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
在工业设备领域，罗姆还面向 PV 逆变器（太阳能发电逆变器）、EV 充电桩、DC-DC 转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发 1,500V 系统用的 2kV 耐压 SiC MOSFET，并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于 SiC SBD，罗姆已经拥有 650V～1,700V 分立或裸芯片的产品阵容，相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用，在电动汽车充电桩的 PFC 单元 等应用中也已被越来越多地采用。此外，在工业设备领域，罗姆还正在加速建立向模块制造商提供 SiC 裸芯片的商业模式，例如，加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作，并已经开始为其提供 SiC 和 IGBT 裸芯片。
在产品开发方面，罗姆正在进行下一代即第 5 代 SiC MOSFET 开发，计划于 2025 年发布。 与当前第 4 代产品相比，第 5 代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约 30%，有助于进一步提高效率。另外，罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期，来快速响应市场变化并满足市场需求。
・适用应用示例
工业设备：光伏逆变器、UPS（不间断电源）、EV 充电桩、DC-DC 转换器
车载设备：牵引逆变器、辅助逆变器、OBC（车载充电器）、DC-DC 转换器
3-2、关于 EcoGaN™
EcoGaN™是通过更大程度地发挥 GaN 的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN 器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括 GaN HEMT 单品，还包括内置控制器的、搭载了 GaN 的 IC 等产品。另外，EcoGaN™旨在成为“易用的 GaN 器件”，并促进 GaN 在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作，进而为实现无碳社会做出贡献。
2022 年罗姆的第一个 EcoGaN™产品系列 150V 耐压 GaN HEMT 实现量产，2023 年实现业界超高器件性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的 650V 耐压 GaN HEMT 投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌 Innergie 的“C4 Duo”、“C10 Duo”等 AC 适配器采用，为 AC 适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。
与 Si 器件相比，GaN 器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化，但其栅极驱动很难，而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了 GaN HEMT 单品的性能，还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的 LSI 相结合，实现“易用的 GaN”。 将 650V 耐压 GaN HEMT 和栅极驱动器等元器件一体化封装的 Power Stage IC（SiP：System in Package）“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品（图 3）。该产品可轻松替换现有的 Si MOSFET，而且可使器件体积减少约 99%，功率损耗减少约 55%。未来，罗姆 还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的 GaN 驱动用控制器 IC 等产品，通过普及“易用的 GaN 器件”，为进一步提高电源效率贡献力量。此外，罗姆还计划将配备功率因数校正电路（PFC）的 Power Stage IC 和配备半桥电路的产品投入量产，预计到 2026 年，罗姆将可以提供集 GaN HEMT、栅极驱动器 IC 和控制器 IC 于一体的综合解决方案。另外，在 EcoGaN™ 特设页面（英文）中，会发布包括正在开发中的产品在内的最新 EcoGaN™解决方案信息。
预计 GaN 器件市场将在本世纪 20 年代后半期快速增长，并有望被广泛用于车载领域的 OBC 等应用。在车载 GaN 器件的开发和量产方面，罗姆计划通过各种举措，比如与台积（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，TSMC）建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和 OSAT，来加快推出车载 GaN 器件的速度。
近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的 CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此， 为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。
在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。
2、市场需求和罗姆的举措
近年来，随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长，对于各类应用中配备的电源系统，要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此，要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言，就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时，功率半导体的应用范围也在不断扩大，需求量也与日俱增。
多年来，罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力，其中包括于全球首家*实现了 SiC（碳化硅） MOSFET 的量产。另外，预计相关产品的市场需求会进一步扩大，罗姆也在不断开拓新的产品领域，比如将作为下一代半导体与 SiC 同样备受关注的 GaN（氮化镓）产品投入量产。下图 1 中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量（纵轴）和工作频率（横轴）范围。长期以来一直被用作半导体材料的 Si（硅），其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。 另外，新一代半导体 SiC 元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域；而 GaN 器件 “EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”， 并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。
*截至 2025 年 1 月 罗姆调查数据
图 1：Power Eco Family 产品群在不同功率容量×工作频率范围的分布图
・“EcoSiC™”、“EcoGaN™”、“EcoIGBT™”及“EcoMOS™”是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
3、组成“Power Eco Family”的四大品牌
3-1、关于 EcoSiC™
EcoSiC™是采用了因性能优于 Si 而在功率元器件领域备受关注的 SiC 的元器件品牌。
罗姆自 2010 年在全球率先实现 SiC MOSFET 的量产以来，已经自主开发了从 SiC 晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等 SiC 元器件所需的各种技术。另外，罗姆还提供各种形式的 SiC 元器件，其中包括 SiC 裸芯片、SiC SBD 和 SiC MOSFET 等分立器件以及 SiC 模 块。不仅如此，为满足 SiC 市场不断扩大的需求，罗姆于 2023 年开始生产 8 英寸衬底，并计划从 2025 年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中，一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室，实现了快速 有效的投资，还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力，不断增强满足快速增长的 SiC 市场需求的能力。
在车载设备领域，xEV 牵引逆变器对 SiC 的需求增长最快，SiC 产品在其中的应用加速。例如，2024 年 8 月，吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外， 罗姆还专注于模块开发，推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型 SiC 模块 TRCDRIVE pack™。 TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度，有助于逆变器的小型轻量化，法雷奥的下一代逆变器已经计划采用（图 2）。综上所述，罗姆的 EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势，而获得了客户高度好评，并已斩获全球 130 多家公司的 Design Win（赢得设计）。
图 2：实现了业界超高功率密度的 TRCDRIVE pack™
・“TRCDRIVE pack™”是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
在工业设备领域，罗姆还面向 PV 逆变器（太阳能发电逆变器）、EV 充电桩、DC-DC 转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发 1,500V 系统用的 2kV 耐压 SiC MOSFET，并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于 SiC SBD，罗姆已经拥有 650V～1,700V 分立或裸芯片的产品阵容，相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用，在电动汽车充电桩的 PFC 单元 等应用中也已被越来越多地采用。此外，在工业设备领域，罗姆还正在加速建立向模块制造商提供 SiC 裸芯片的商业模式，例如，加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作，并已经开始为其提供 SiC 和 IGBT 裸芯片。
在产品开发方面，罗姆正在进行下一代即第 5 代 SiC MOSFET 开发，计划于 2025 年发布。 与当前第 4 代产品相比，第 5 代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约 30%，有助于进一步提高效率。另外，罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期，来快速响应市场变化并满足市场需求。
・适用应用示例
工业设备：光伏逆变器、UPS（不间断电源）、EV 充电桩、DC-DC 转换器
车载设备：牵引逆变器、辅助逆变器、OBC（车载充电器）、DC-DC 转换器
3-2、关于 EcoGaN™
EcoGaN™是通过更大程度地发挥 GaN 的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN 器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括 GaN HEMT 单品，还包括内置控制器的、搭载了 GaN 的 IC 等产品。另外，EcoGaN™旨在成为“易用的 GaN 器件”，并促进 GaN 在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作，进而为实现无碳社会做出贡献。
2022 年罗姆的第一个 EcoGaN™产品系列 150V 耐压 GaN HEMT 实现量产，2023 年实现业界超高器件性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的 650V 耐压 GaN HEMT 投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌 Innergie 的“C4 Duo”、“C10 Duo”等 AC 适配器采用，为 AC 适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。
与 Si 器件相比，GaN 器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化，但其栅极驱动很难，而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了 GaN HEMT 单品的性能，还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的 LSI 相结合，实现“易用的 GaN”。 将 650V 耐压 GaN HEMT 和栅极驱动器等元器件一体化封装的 Power Stage IC（SiP：System in Package）“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品（图 3）。该产品可轻松替换现有的 Si MOSFET，而且可使器件体积减少约 99%，功率损耗减少约 55%。未来，罗姆 还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的 GaN 驱动用控制器 IC 等产品，通过普及“易用的 GaN 器件”，为进一步提高电源效率贡献力量。此外，罗姆还计划将配备功率因数校正电路（PFC）的 Power Stage IC 和配备半桥电路的产品投入量产，预计到 2026 年，罗姆将可以提供集 GaN HEMT、栅极驱动器 IC 和控制器 IC 于一体的综合解决方案。另外，在 EcoGaN™ 特设页面（英文）中，会发布包括正在开发中的产品在内的最新 EcoGaN™解决方案信息。
预计 GaN 器件市场将在本世纪 20 年代后半期快速增长，并有望被广泛用于车载领域的 OBC 等应用。在车载 GaN 器件的开发和量产方面，罗姆计划通过各种举措，比如与台积（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，TSMC）建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和 OSAT，来加快推出车载 GaN 器件的速度。
