igbt吧
关注: 1,162 贴子: 2,957

欢迎大家积极交流合作助力国产替代。

  • 目录:
  • 工业
  • 3
    目前市场上普遍采用的三菱Mitsubishi第4代小型DIP-IPM 型号:PS21765和PS21767已经升级到第6代PSS20S71F6和PSS30S71F6,这两款型新研发成功的DIP-IPM无论在产品性能上有了不少的技术提升,同时在商品价格上也出人意料地有明显下降,早已经实现了批量供货。目前客户在新产品的替代上使用情况良好,新旧产品的具体变动信息如下: ■主要特点 ◆全系列保证2500Vrms/1min绝缘耐压,充分满足工业应用要求 ◆兼容现有三菱第3/4代小型封装DIPIPMTM,方便在不改变原有设
  • 1
    如今,“节能环保”的潮流席卷全球,尤其是在新能源交通工具的更新和研发上,人们的关注热情持续高涨。从电动汽车概念的出现到如今越来越多的电动汽车涌现街头,每一次的技术进步,都越来越为广大专业人士所关注和推崇。 为了推动新兴电动汽车行业的发展,三菱电机推出了新的汽车级IGBT模块——J1系列EV-PM,主要应用于EV/HEV电机驱动逆变器。J1系列产品的推广,从此扩大了电动汽车用产品的选择范畴。该产品实现了超低损耗,并采用散热铝
  • 3
    IGBT虽然应用在大功率电源电路中,但其实这种电源模块较为脆弱,需要在使用过程中处处小心。本文就将为大家介绍在IGBT模块的使用过程中需要特别注意哪些问题,感兴趣的朋友快来随小编一起看一看吧。 IGBT模块的选定 在使用IGBT模块的场合,选择何种电压,电流规格的IGBT模块,需要做周密的考虑。 电流规格 IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,原件发热加剧。因此,根据额定损耗,开关损
  • 1
    IGBT拥有高输入阻抗和低导通压降两种明显的优势,非常适用于直流电压的转换供电。正因如此,很多电源转换电路中都有IGBT的身影,其为近代电源电子技术发展作出较大的贡献。鉴于IGBT的广泛使用量,小编将在本文中为大家介绍如何通过一些简单的方法来针对IGBT进行好坏的区分,感兴趣的朋友快来看一看吧。 1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,
  • 1
    电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求,其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制,面临诸多挑战。本文设计一种驱动供电电源,并通过实际测试证明其可用性。 常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。由于反激电源在开
  • 5
    1 引言   绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型的电力半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点,成为目前最有应用前景的电力半导体器件之一[1]。在轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电这些朝阳产业中,IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件,是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT进行功率变换,能够提高
    zcswdz123 3-28
  • 54
    【简介】本书结合国内外IGBT的发展和最新应用技术,以从事IGBT应用电路设计人员为本书的读者对象,系统、全面地讲解了IGBT应用电路设计必备的基础知识,并选取和总结了IGBT的典型应用电路设计实例,以供从事IGBT应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。 全书共分为6章,在概述了IGBT的发展历程与发展趋势的基础上,讲解了IGBT的结构和工作特性、IGBT模块化技术、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用设计与电路实例等内容。本
  • 8
    大神求帮忙!ABB变频器的
  • 0
    由于IGBT工作在高频与高电压、大电流的条件下,因而, IGBT除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计需要重点考虑。   (一)IGBT的工作原理   IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:   ——IGBT栅极与发射极之间的电压;   ——IGBT集电极与发射极之间的电压;   ——流过IGBT集电极-发射极的电流;   ——IGBT的结温。   如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集
  • 0
    逆变电源是一种较为常见的电流转换电源,它能够将普通的直流电转换为所需的交流电。在逆变电源的H桥当中,有时需要将电路中的MOS管替换为IGBT。但在替换之后的开机带载很有可能发生炸机。 想要避免这种情况,可以从峰值电流保护入手,做好驱动和保护就能保证IGBT不会爆炸,本篇文章详解了这种逆变H桥IGBT单管驱动保护的方法,希望能对大家有所帮助。 被人们熟知的逆变电源H桥电路,也可称为逆变电源的后级。本设计中需要加上IGBT,同样电流
  • 6
    摘要:目前工程中使用的大功率IGBT驱动器,多采用单一栅极电阻开关器件,不能将器件的效率发挥到最大。针对这些驱动器产品存在的弊端,提出以CPLD为核心控制器,利用数字技术提升器件工作时性能。文中论述了该数字驱动器的结构及各部分的工作原理及作用。该驱动器利用全面地IGBT状态检测电路、多路故障检测和保护电路,提高驱动器及整个系统的安全性和可靠性。最后给出数字驱动器电源、驱动级运行的试验波形,证明了此方案的正确性和可
  • 31
    求懂设计,能设计一起发展。
  • 11
       一、功率半导体的重要性   功率半导体器件是进行电能(功率)处理的半导体产品,是弱电控制与强电运行间的桥梁。   在可预见的将来,电能将一直是人类消耗的最大能源。从手机、电视、洗衣机、到高速列车,均离不开电能。无论是水电、核电、火电还是风电,甚至各种电池提供的化学电能,大部分均无法直接使用,75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。   每个电子产品均离不开功率半导体技术
  • 8
    主要有IGBT 芯片、Diode 芯片、DBC(绝缘基板)、铝线、硅凝胶、电极、外壳组成。 如下图:
    342220610 3-24

  • 发贴红色标题
  • 显示红名
  • 签到六倍经验

赠送补签卡1张,获得[经验书购买权]

扫二维码下载贴吧客户端

下载贴吧APP
看高清直播、视频!

友情贴吧