转贴:忆阻器取代晶体管引全球技术竞赛 中国严重落后_chrome吧

5年前《自然》杂志的一篇论文，让“忆阻器”三个字广为人知。这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件，在经历晶体管时代漫长的“下落不明”后，被惠普实验室首先“找到”，轰动了全球电子学界。【转】

微电子技术这方面国内貌似一直就和国际先进水准有差距

维基百科，自由的百科全书（重定向自忆阻器）：忆阻器（英语：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名记忆电阻（英语：memory resistors），是一种被动电子元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器[3][4]。 目前正在开发忆阻器的团队包括惠普，SK Hynix，和HRL Laboratories。

惠普公司实验室(en:HP Labs)的排成一排二氧化钛组成的17个忆阻器阵列，由原子力显微镜(en:atomic force microscope)成像. 每条线有50纳米宽，相当于150原子宽。[1] 电流通过忆阻器移动氧原子空穴, 导致电阻的一个渐进的和持久的变化。[2]待续

从西元两千年始，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性内存-阻抗存储器(RRAM)或(ReRAM）中。待续

2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。但目前仍然有专家认为，这些实作出的电路，并不是真正的忆阻器。待续

5年前《自然》杂志的一篇论文，让“忆阻器”三个字广为人知。这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件，在经历晶体管时代漫长的“下落不明”后，被惠普实验室首先“找到”，轰动了全球电子学界。　　然而5年过去了，尽管每年都有关于忆阻器机理和应用的重要进展问世，但来自中国的声音却鲜有耳闻。

不久前，蔡少棠应邀到访国防科技大学。这位华裔科学家发出提醒：忆阻器绝不只是一个理论模型，而是“实实在在的”。待续

“忆阻器带来的变革，将在世界电子科技领域引发一场基础性的影响重大的竞赛。如果再不加以重视，惠普一家公司就足以打败我们。”国防科技大学电子科学与工程学院教授徐晖对记者如是说。待续

有望续写摩尔定律　　越来越多科学家认为，最迟至2020年，见证半导体工业长达半个世纪进化的“摩尔定律”将迎来物理极限大考。石墨烯被认为是替代硅最有前途的材料，但究竟哪种元器件堪当此大任，科学家仍在寻找。待续

2012年，美国电气和电子工程协会邀约3位国际知名学者共同撰写了一篇长文《超越摩尔》，其中专章讲述了忆阻器。这引起了中科院计算技术研究所研究员闵应骅的注意，他在科学网上连续发表5篇博文进行译介。待续

闵应骅告诉记者，未来半导体工业有可能从“硅时代”进入“碳时代”，而忆阻器这种可记忆电流的非线性电阻，凭借其优越的特性，将成为未来极有希望的存储元件。待续