谣言终结者，浦科特TrueSpeed并不会增加写入放大

首先介绍一下四块SSD吧，OCZ Trion 100是东芝Q300的换壳版，PS3110 S10主控搭配东芝A19 TLC颗粒；闪迪Z400s是闪迪加强版的OEM版本，SM2246XT无缓存主控搭配闪迪15nm MLC颗粒；金士顿V300是SF2281主控搭配不固定的自封装颗粒（有美光、东芝等多个颗粒版本）；浦科特M6S是Marvell 88SS9188主控搭配东芝原厂A19 MLC颗粒。
从主控特性来看，V300使用的SF2281主控具备数据压缩能力，按理说应该是写放大控制最好的，但实际情况是现在包括DOC文档在内的文件都具备一定的自压缩属性，留给SF主控再度压缩的空间已经很小。闪迪Z400s的外置缓存方案在写放大控制理论上有可能比较吃力，但实际表现也说不准。浦科特M6S具备TrueSpeed不掉速特性，被很多人认为是写放大控制不好的。那接下来就是实际测试。

测试开始前记录四块SSD的SMART信息，记录测试前他们的原有写入量，待测试完后用最终写入量减去原有写入量就是这次测试产生的实际写入。SMART信息里一般会有主机写入量和颗粒写入量两个指标。用颗粒写入量除以主机写入量就是写入放大率。理论上除了SF主控可以达到小于1的写放大之外，其他主控的写入放大率必定大于1。
测试开始后我发现Trion 100的SMART统计里只能查出主机写入，没有颗粒写入指标，所以这次只当他是来凑热闹的好了，用他的主机写入量增量来验证下四快盘在RAID0下产生的写入量是均衡分配的即可。
Trion 100开始前：Logical Sectors Written是主机写入扇区数，乘以512就是以字节为单位的主机写入量

闪迪Z400s开始前：Total_LBA_Written为主机写入量，单位GB；Media_Wearout_Indicator是颗粒写入量，单位GB

金士顿V300开始前：233项为颗粒写入量，单位GB，241项Lifetime_Writes_GiB为主机写入量，单位GB，可以看到这块盘在测试开始前的总体写放大控制就并不好

浦科特M6S开始前：smartmontool对M6S的检测结果比较晦涩，还是看CDI的吧，事实上所有盘的SMART信息我都是用smarttool和CrystalDiskInfo记录了双份。

测试过程：
将主板磁盘工作模式从AHCI改为RAID，然后开机中按Ctrl+I进入Intel RAID设置，组建四盘RAID0阵列。然后在这个RAID0阵列上安装Windows 10操作系统。接下来：
运行Txbench及PCMark 8
下载上古世纪和COD12
安装上古世纪和COD12
PC Mark 8存储测试项目80个循环（每个标准测试是3个循环）
PC Mark 8存储测试项目10个循环（每个标准测试是3个循环）
PC Mark 8存储测试项目30个循环（每个标准测试是3个循环）
测试过程比较枯燥，而且我的目的并非测试RAID0阵列的性能，所以这里简单带过，给大家看两张截图吧

使用CDM命令行运行PC Mark 8存储测试来模拟日常使用对SSD产生的读写操作。

所有操作耗时2天左右，下面是结果

测试完后因为工作忙没顾上整理这些数据，所以拖到今天了。四块SSD在运行完以上测试后SMART信息为：
Trion 100测试后：

闪迪Z400s测试后：

金士顿V300测试后：

浦科特M6S测试后：

最后是四块SSD在测试过程当中的写入放大率计算和总结：
M6S： （1996-1583） / （1629-1247） =413/382=1.08
V300： （5439-4631） /（1713-1328） =808/385=2.10
Z400s： （6304-5790） / （1779-1396） =514/383=1.34
Trion 主机写入量增加：（2101440417-1301522585）*512/1024/1024/1024=381.4GB
四块盘在RAID0阵列下经过测试之后，主机写入量增加量分别为382GB、385GB、383GB和381.4GB，比较接近，说明RAID0阵列会将读写压力平均分配给阵列中的各盘，各盘的写入压力相同，能够直接比较他们的写放大表现。可以看到M6S的写入放大率1.08，在所有四块盘中表现最为出色，完全不是某些人所说的TrueSpeed会增加写放大用寿命换速度。

@浦科特plextor
求精华~